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BUZ11 参数 Datasheet PDF下载

BUZ11图片预览
型号: BUZ11
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内容描述: N - CHANNEL 50V - 0.03W - 33A TO- 220的STripFET ] MOSFET [N - CHANNEL 50V - 0.03W - 33A TO-220 STripFET] MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 8 页 / 83 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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BUZ11
热数据
R
THJ -case
R
THJ -amb
热阻结案件
热阻结到环境
最大
最大
1.67
62.5
o
o
C / W
C / W
雪崩特性
Symbo升
I
AR
E
AS
参数
雪崩电流,重复或不重复
(脉冲宽度限制T
j
最大,
δ
& LT ; 1%)的
单脉冲雪崩能量
(起始物为
j
= 25
o
C,我
D
= I
AR
, V
DD
= 25 V)
VALU ê
33
200
单位
A
mJ
电气特性
(T
= 25
o
C除非另有说明)
关闭
Symbo升
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
参数
漏源
击穿电压
测试刀豆ditions
I
D
= 250
µA
V
GS
= 0
分钟。
50
1
10
±
100
典型值。
马克斯。
单位
V
µ
A
µA
nA
V
DS
=最大额定值
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0) V
DS
=最大额定值
门体漏
电流(V
DS
= 0)
V
GS
=
±
20 V
T
j
= 125 C
o
开( *)
Symbo升
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
参数
栅极阈值电压V
DS
= V
GS
静态漏源
阻力
V
GS
= 10V
测试刀豆ditions
I
D
= 1毫安
I
D
= 19 A
分钟。
2.1
典型值。
3
0.03
马克斯。
4
0.04
单位
V
动态
Symbo升
g
F小号
(∗)
C
国际空间站
C
OS s
C
RSS
参数
前锋
输入电容
输出电容
反向传输
电容
测试刀豆ditions
V
DS
= 15 V
V
DS
= 25 V
I
D
= 19 A
F = 1 MHz的
V
GS
= 0
分钟。
10
典型值。
17
2100
260
65
马克斯。
单位
S
pF
pF
pF
开关
Symbo升
t
D(上)
t
r
t
(六中)D
t
f
参数
开启时间
上升时间
关断延时T IME
秋季牛逼IME
测试刀豆ditions
V
DD
= 30 V
R
GS
= 50
I
D
= 18 A
V
GS
= 10 V
分钟。
典型值。
40
200
220
110
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
2/8