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BU406 参数 Datasheet PDF下载

BU406图片预览
型号: BU406
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内容描述: NPN硅功率晶体管 [NPN SILICON POWER TRANSISTORS]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 4 页 / 154 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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BU406
绝对最大额定值
NPN平面晶体管
参数
符号
评级
单位
集电极 - 基极电压(I
E
=0)
V
CBO
400
V
集电极 - 发射极电压(V
BE
=-1.5V)
V
CEV
400
V
集电极 - 发射极电压(I
B
=0)
V
首席执行官
200
V
发射极 - 基极电压(I
C
=0)
V
EBO
6
V
集电极电流
I
C
7
A
集电极电流峰值(重复)
I
CM
10
A
集电极电流峰值( TP = 10毫秒)
I
CM
15
A
基极电流
I
B
4
A
集电极耗散(T
C
≤25℃)
P
C
60
W
结温
T
J
150
储存温度
T
英镑
-65 ~ +150
注意绝对最大额定值是那些超出该装置可以永久损坏的值。
绝对最大额定值的压力额定值只和功能的设备操作不暗示。
热数据
参数
热阻,结到环境
热阻,结到外壳
符号
θ
JA
θ
JC
评级
70
2.08
单位
℃/W
/W
电气特性
(Ta=25℃)
参数
收集截止电流(V
BE
=0)
符号
I
CES
测试条件
V
CE
=400V
V
CE
= 250V牛逼
C
=150°C
V
CE
=250V
V
BE
=6V
I
C
= 5A ,我
B
=0.5A
I
C
= 5A ,我
B
=0.5A
V
CE
= 10V ,我
C
=500mA
I
C
= 500毫安,V
CE
=10V
I
C
= 5A ,我
B
=0.5A
V
CE
= 40V , T = 10毫秒
典型值
最大
5
100
1
1
1
1.2
240
0.75
4
单位
mA
µA
mA
mA
V
V
兆赫
µs
A
发射极截止电流(I
C
=0)
I
EBO
集电极 - 发射极饱和电压
V
CE (SAT) *
基射极饱和电压
V
BE (SAT) *
直流电流增益
h
FE
跃迁频率
f
T
打开-O FF时间
t
关闭
第二击穿集电极电流
是/ B
*
脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
70
10
分类h及
FE
范围
A
70 ~ 120
B
110 ~ 240
UNISONIC TECHNOLOGIES CO 。 , LTD。
www.unisonic.com.tw
2 4
QW-R203-021,D