BTB04-600SL
图。 5 ：
浪涌峰值通态电流对数
的周期。
ITSM （ A）
40
35
30
25
20
15
10
5
重复
Tc=110°C
不重复
TJ初始= 25°C
t=20ms
图。 6 ：
不重复浪涌峰值通态电流
对于正弦脉冲宽度TP < 10毫秒，而
我相应的价值
2
t.
ITSM （A ） ，我T（A S）
1000
TJ初始= 25°C
2
2
100
di / dt的限制：
50A/µs
ITSM
10
I了
周期数
0
1
10
100
1000
TP（ ms）的
1
0.01
0.10
1.00
10.00
图。 7 ：
门极触发电流的相对变化，
保持电流和闭锁电流对junc-
化温度（典型值） 。
IGT ，IH， IL [ TJ ] / IGT ，IH， IL 〔环境温度为25 ℃]
3.0
2.5
2.0
IGT
图。 8 ：
减少爆击率的相对变化
主电流对重新申请的dV / dt （典型val-的
的UE ） 。
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
1.5
1.0
0.5
IH & IL
0.6
0.4
TJ （ ° C）
0.0
-40 -30 -20 -10
0
10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130
0.2
0.0
0.1
1.0
的dv / dt （V / μs）内
10.0
100.0
图。 9 ：
减少爆击率的相对变化
的主电流与结温。
（ di / dt的） C [ TJ ] / （ di / dt的） C [ TJ = 125 ° C]
8
7
6
5
4
3
2
1
0
25
50
75
100
125
图。 10 ：
静态的dV / dt抗扰性相对变化
随结温。
的dV / dt [ TJ ] / DV / DT [ TJ = 125 ° C]
8
VD=VR=400V
7
6
5
4
3
2
TJ （ ° C）
1
0
25
50
TJ （ ° C）
75
100
125
4/5
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
