BTB/BTA41
离散双向可控硅（非隔离/隔离）
˚F IG 。 1 ：最大功率DIS s ipation VERS美国R MS
上的TA TE电流（全周期） 。
50
40
30
20
10
IT （R MS ） （ A）
0
0
5
10
15
20
25
30
35
40
α
˚F IG 。 2 ，R MS通态电流VERS美国化学文摘ê
温度（全循环）。
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
IT （R MS ） （ A）
B TA 41
B T B 41
P（ W）的
α
= 180°
180°
α
T C （ ° C）
0
25
50
75
100
125
˚F IG 。 3 ：R热impeda NCE的elative变化
与脉冲持续时间。
1.E +00
K = [第Z / R日]
第Z （J -C ）
˚F IG 。 4 ：
值）。
IT M（ A）
在-S大老
茶racteris抽动
（最大
400
100
T J最大
1.E -01
第i （J -a）的
B TA / B T B 41
1.E -02
10
T J = 25°C
1.E -03
1.E -03 1.E -02 1.E -01 1.E +00 1.E +01 1.E +02 1.E +03
TP （多个）
V T， M（ V）
1
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
T J最大：
V到= 0.85 V
R D所= 10毫欧
4.0
4.5
5.0
˚F IG 。 5 ：•敦促-S大老电流VERS我们高峰
周期数。
˚F IG 。 6 ：非重复性s冲动豌豆K于-S大老
目前的A S INUS oidal PULS ê宽度
TP < 10毫秒， I了相应的价值。
IT S M （A ） ，β T（A ² S）
IT S M
450
400
350
300
250
200
150
100
50
0
IT S M （ A）
10000
t=20ms
不重复
T J初始= 25°C
一个周期
1000
di / dt的限制：
50A /µ
s
I了
ř epetitive
T C = 70℃
周期数
1
10
100
1000
TP（ ms）的
100
0.01
0.10
1.00
T J初始= 25°C
10.00
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
