BTA / BTB08和T8系列
图。 6 ：
非重复浪涌峰值通态
电流的正弦脉冲宽度
TP < 10毫秒，而I了相应的价值。
ITSM （ A） ， I了（ A²s ）
1000
TJ初始= 25°C
图。 7 ：
门极触发电流的相对变化，
保持电流和闭锁电流对
结温度（典型值）。
IGT ，IH， IL [ TJ ] / IGT ，IH， IL 〔环境温度为25 ℃]
2.5
2.0
di / dt的限制：
50A/µs
IGT
ITSM
1.5
IH & IL
100
1.0
I了
0.5
TP（ ms）的
10
0.01
0.10
1.00
10.00
TJ （ ° C）
0.0
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
140
图。 8-1 ：
临界速度的相对变化
下降主要与当前（的dV / dt ）的C （典型值
值）。无缓冲器&逻辑电平类型
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0.1
图。 8-2 ：
临界速度的相对变化
下降主要与当前（的dV / dt ）的C （典型值
值）。标准类型
（ di / dt的） C [ （的dV / dt ） C] /指定的（ di / dt的）C
2.0
1.8
1.6
1.4
B
C
TW
T835/CW/BW
1.2
1.0
0.8
0.6
（的dV / dt ）C （V / μs）内
T810/SW
（的dV / dt ）C （V / μs）内
1.0
10.0
100.0
0.4
0.1
1.0
10.0
100.0
图。 9 ：
临界速度的相对变化
减少主电流与结
温度。
图。 10 ：
DPAK和D
2
PAK热阻
结点至环境下与铜表面
标签（印刷电路板FR4，铜厚度：
35
µm).
Rth的第（j-一）（ ℃/ W）的
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
（ di / dt的） C [ TJ ] / （ di / dt的） C [ TJ指定]
6
5
4
3
2
1
0
0
25
TJ （ ° C）
DPAK
D²PAK
S（平方厘米）
50
75
100
125
0
4
8
12
16
20
24
28
32
36
40
6/10
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
