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BD138 参数 Datasheet PDF下载

BD138图片预览

型号：	BD138
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 76 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

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BD136 / BD138 / BD140

热数据

R

THJ情况

热阻结案件

最大

10

o

C / W

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

符号

I

CBO

I

EBO

参数

集电极截止

电流（I

E

= 0)

发射极截止电流

(I

C

= 0)

测试条件

V

CB

= -30 V

V

CB

= -30 V

V

EB

= -5 V

I

C

= -30毫安

为

BD136

为

BD138

为

BD140

I

C

= -0.5 A

I

C

= -0.5 A

I

C

= -5毫安

I

C

= -150毫安

I

C

= -0.5 A

I

B

= -0.05 A

V

CE

= -2 V

V

CE

= -2 V

V

CE

= -2 V

V

CE

= -2 V

25

40

25

63

100

T

C

= 125 C

o

分钟。

典型值。

马克斯。

-0.1

-10

-10

单位

µA

µA

µA

V

CEO （ SUS ）

∗

集电极 - 发射极

维持电压

(I

B

= 0)

V

CE （ SAT ）

∗

V

BE

∗

h

FE

∗

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极电压

直流电流增益

-45

-60

-80

-0.5

-1

250

V

V

V

V

V

h

FE

h

FE

群体

I

C

= -150毫安

V

CE

= -2 V

为

BD136/BD140

group-10

为

BD136/BD140

group-16

160

250

*脉冲：脉冲宽度= 300

µs,

占空比1.5 ％

安全工作区

2/4

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