BD136 参数 Datasheet PDF下载

型号：	BD136
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内容描述：	PNP硅晶体管 [PNP SILICON TRANSISTORS]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	4 页 / 47 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

BD136/BD138/BD140

热数据

吨HJ -CA SE

热阻结案件

最大

C / W

电气特性

例

= 25

C除非另有说明）

SYMB OL

CBO

EBO

参数

集电极截止

电流（I

= 0)

发射极截止电流

= 0)

测试电导率银行足球比赛s

= -30 V

= -5 V

= -30毫安

为

BD136

为

BD138

为

BD140

= -0.5 A

= -5毫安

= -0.5 A

= -150毫安

= -0.05 A

= -2 V

= 125 C

分钟。

典型值。

马克斯。

-0.1

-10

取消它

µA

CEO （ SUS）

∗

集电极 - 发射极

维持电压

-45

-60

-80

-0.5

-1

CE （SAT）

∗

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极电压

直流电流摹泉

250

160

摹roups

= -150毫安

= -2 V

为BD140组10

∗

脉冲：脉冲宽度= 300

µs,

占空比1.5 ％

安全工作区

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