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BCP53-16 参数 Datasheet PDF下载

BCP53-16图片预览

型号：	BCP53-16
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	低功率PNP晶体管 [LOW POWER PNP TRANSISTOR]
分类和应用：	晶体晶体管开关光电二极管
文件页数/大小：	4 页 / 49 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

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BCP53-16

热数据

R

THJ - AMB

•

热阻结到环境

2

最大

78

o

C / W

•

设备安装在1cm的PCB面积

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

符号

I

CBO

V

（ BR ） CBO

参数

集电极截止

电流（I

E

= 0)

集电极 - 基

击穿电压

(I

E

= 0)

测试条件

V

CB

= -30 V

V

CB

= -30 V

I

C

= -100

µA

T

j

= 125

o

C

-100

分钟。

典型值。

马克斯。

-100

-10

单位

nA

µA

V

V

（ BR ） CEO

∗

集电极 - 发射极

击穿电压

(I

B

= 0)

V

（ BR ） CER

集电极 - 发射极

击穿电压

(R

BE

= 1 KΩ)

发射极 - 基

击穿电压

(I

C

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

基射极上

电压

直流电流增益

I

C

= -20毫安

-80

V

I

C

= -100

µA

-100

V

V

（ BR ） EBO

I

E

= -10

µA

-5

V

V

CE （ SAT ）

∗

V

BE（上）

∗

h

FE

∗

I

C

= -500毫安

I

C

= -500毫安

I

C

= -5毫安

I

C

= -150毫安

I

C

= -500毫安

I

B

= -50毫安

V

CE

= -2 V

V

CE

= -2 V

V

CE

= -2 V

V

CE

= -2 V

F = 20MHz的

40

100

25

50

-0.5

-1

V

V

250

兆赫

f

T

跃迁频率

I

C

= -10毫安V

CE

= -5 V

∗

脉冲：脉冲宽度= 300

µs,

占空比

≤

1.5 %

2/4

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