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型号: 2SD882
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内容描述: NPN型中功率晶体管 [NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 8 页 / 110 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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2SD882
电气特性
2
电气特性
(T
= 25°C ;除非另有规定)
表4 。
符号
I
CES
I
首席执行官
I
EBO
V
( BR ) CEO
(1)
电气特性
参数
集电极截止电流
(V
BE
= 0)
集电极截止电流
(I
B
= 0)
发射极截止电流
(I
C
= 0)
测试条件
V
CE
= 60 V
V
CE
= 30 V
V
EB
= 5 V
分钟。
典型值。
马克斯。
10
100
10
单位
µA
µA
µA
集电极 - 发射极击穿
电压
I
C
= 10毫安
(I
B
= 0 )
集电极 - 基极击穿
电压
(I
E
= 0 )
发射极 - 基极击穿
电压
(I
C
= 0 )
集电极 - 发射极饱和
电压
基射极饱和
电压
I
C
= 100 µA
30
V
V
( BR ) CBO
60
V
V
( BR ) EBO
I
E
= 100 µA
I
C
= 1 A
I
C
= 2 A
I
C
= 3 A
I
C
= 2 A
I
C
= 100毫安
I
C
= 1 A
I
C
= 3 A
I
C
= 0.1 A
I
B
= 50毫安
I
B
= 100毫安
I
B
= 150毫安
I
B
= 100毫安
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 2 V
V
CE
= 10 V
5
0.4
0.7
1.1
1.2
100
80
30
100
300
V
V
V
V
V
V
CE ( SAT )
(1)
V
BE ( SAT )
(1)
h
FE
f
T
直流电流增益
跃迁频率
兆赫
1,脉冲持续时间= 300毫秒,占空比
1.5%.
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