2SB772 参数 Datasheet PDF下载

型号：	2SB772
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内容描述：	PNP / NPN外延平面晶体管 [PNP/NPN Epitaxial Planar Transistors]
分类和应用：	晶体晶体管
文件页数/大小：	8 页 / 109 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

2SB772

2电气特性

电气特性

例

= 25°C ;除非另有规定）

表4 。

符号

CES

首席执行官

EBO

（ BR ） CEO

(1)

电气特性

参数

集电极截止电流

= 0)

集电极截止电流

= 0)

发射极截止电流

= 0)

测试条件

= -60 V

= -30 V

= -5 V

分钟。

典型值。

马克斯。

-10

-100

-10

单位

µA

集电极 - 发射极击穿

电压

= -10毫安

= 0 )

集电极 - 基极击穿

电压

= 0 )

发射极 - 基极击穿

电压

= 0 )

集电极 - 发射极饱和

电压

基射极饱和

电压

= -100 µA

-30

（ BR ） CBO

-60

（ BR ） EBO

= -100 µA

= -1 A

= -2 A

= -3 A

= -2 A

= -100毫安

= -1 A

= -3 A

= -0.1

= -50毫安

= -100毫安

= -150毫安

= -100毫安

= -2 V

= -10 V

-5

-0.4

-0.7

-1.1

-1.2

100

300

CE （ SAT ）

(1)

BE （ SAT ）

(1)

直流电流增益

跃迁频率

兆赫

1，脉冲持续时间= 300毫秒，占空比

≤

1.5%.

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