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    2N7002 参数 Datasheet PDF下载

    2N7002图片预览
    型号： 2N7002
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO- 92的STripFET功率MOSFET [N-channel 60V - 1.8ohm - 0.35A - SOT23-3L / TO-92 STripFET Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管开关光电二极管
    文件页数/大小： 14 页 / 384 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号2N7002的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7002的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7002的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2N7002的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2N7002的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2N7002的Datasheet PDF文件第7页浏览型号2N7002的Datasheet PDF文件第8页浏览型号2N7002的Datasheet PDF文件第9页  
    电气特性
    2N7000 - 2N7002
    2
    电气特性
    (T
    例
    = 25 ° C除非另有规定编）
    表3中。
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    开/关状态
    参数
    漏源
    击穿电压
    零栅极电压
    漏电流（V
    GS
    = 0)
    门体漏
    电流（V
    DS
    = 0)
    栅极阈值电压
    静态漏源
    阻力
    测试条件
    I
    D
    = 250μA ，V
    GS
    =0
    V
    DS
    =最大额定值
    V
    DS
    =最大额定值，
    T
    C
    = 125°C
    V
    GS
    = ± 18V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 0.5A
    V
    GS
    = 4.5V ，我
    D
    = 0.5A
    1
    2.1
    1.8
    2
    分钟。
    60
    1
    10
    ±100
    3
    5
    5.3
    典型值。
    马克斯。
    单位
    V
    µA
    µA
    nA
    V
    Ω
    Ω
    I
    DSS
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    表4 。
    符号
    g
    飞秒（1）
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    t
    D（上）
    t
    r
    t
    D（关闭）
    t
    f
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    动态
    参数
    前锋
    跨
    输入电容
    输出电容
    反向传输
    电容
    导通延迟时间
    上升时间
    打开-O FF延迟时间
    下降时间
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    测试条件
    V
    DS
    = 10V
    ,
    I
    D
    = 0.5A
    分钟。
    典型值。
    0.6
    43
    20
    6
    5
    15
    7
    8
    1.4
    0.8
    0.5
    2
    马克斯。
    单位
    S
    pF
    pF
    pF
    ns
    ns
    ns
    ns
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    = 25V ， F = 1MHz时，
    V
    GS
    = 0
    V
    DD
    = 30V ，我
    D
    = 0.5A
    R
    G
    = 4.7Ω V
    GS
    = 4.5V
    （见
    图15）
    V
    DD
    = 30V ，我
    D
    = 1A,
    V
    GS
    = 5V
    （见
    图16）
    1.脉冲：脉冲宽度= 300微秒，占空比为1.5％ 。
    4/14

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