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2N2222A 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	2N2222A
PDF下载：	下载PDF文件查看货源
内容描述：	高速开关晶体管 [High Speed Switching Transistor]
分类和应用：	晶体开关晶体管PC
文件页数/大小：	7 页 / 171 K
品牌：	STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]

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2N2219A / 2N2222A

热数据

TO-39

R

THJ情况

R

THJ - AMB

热阻结案件

热阻结到环境

最大

最大

50

187.5

TO-18

83.3

300

o

o

C / W

C / W

电气特性

(T

例

= 25

o

C除非另有说明）

符号

I

CBO

I

CEX

I

BEX

I

EBO

V

（ BR ） CBO

参数

集电极截止

电流（I

E

= 0)

集电极截止

电流（V

BE

= -3V)

底座截止电流

(V

BE

= -3V)

发射极截止电流

(I

C

= 0)

集电极 - 基

击穿电压

(I

E

= 0)

测试条件

V

CB

= 60 V

V

CB

= 60 V

V

CE

= 60 V

V

CE

= 60 V

V

EB

= 3 V

I

C

= 10

µA

75

T

j

= 150 C

o

分钟。

典型值。

马克斯。

10

10

10

20

10

单位

nA

µA

nA

nA

nA

V

V

（ BR ） CEO

∗

集电极 - 发射极

击穿电压

(I

B

= 0)

V

（ BR ） EBO

发射极 - 基

击穿电压

(I

C

= 0)

集电极 - 发射极

饱和电压

基射

饱和电压

直流电流增益

I

C

= 10毫安

40

V

I

E

= 10

µA

6

V

V

CE （ SAT ）

∗

V

BE （ SAT ）

∗

h

FE

∗

I

C

= 150毫安

I

C

= 500毫安

I

C

= 150毫安

I

C

= 500毫安

I

B

= 15毫安

I

B

= 50毫安

I

B

= 15毫安

I

B

= 50毫安

0.6

35

50

75

100

40

50

35

F = 1kHz时

F = 1kHz时

50

75

300

0.3

1

1.2

2

V

V

V

V

I

C

- 0.1毫安

V

CE

= 10 V

I

C

= 1毫安

V

CE

= 10 V

I

C

= 10毫安

V

CE

= 10 V

I

C

= 150毫安

V

CE

= 10 V

I

C

= 500毫安

V

CE

= 10 V

I

C

= 150毫安

V

CE

= 1 V

I

C

= 10毫安

V

CE

= 10 V

T

AMB

= -55

o

C

I

C

= 1毫安

I

C

= 10毫安

I

C

= 20毫安

F = 100 MHz的

I

C

= 0

I

E

= 0

V

CE

= 10 V

V

CE

= 10 V

V

CE

= 20 V

F = 100KHz的

F = 100千赫

300

h

fe

∗

f

T

C

EBO

C

CBO

R

E（ HIE ）

小信号电流

收益

跃迁频率

发射极 - 基

电容

集电极 - 基

电容

输入的实数部分

阻抗

300

375

兆赫

25

8

60

pF

pF

Ω

V

EB

= 0.5 V

V

CB

= 10 V

I

C

= 20毫安

F = 300MHz的

V

CE

= 20 V

*脉冲：脉冲宽度= 300

µs,

占空比

≤

1 %

2/7

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