1N581x
图。 8-1 ：
反向漏电流与反向
施加电压（典型值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IR （MA ）
Tj=125°C
1N5818
1N5817
图。 8-2 ：
反向漏电流与反向
电压施加（典型值）（ 1N5819 ） 。
IR （MA ）
Tj=125°C
1E+1
1E+1
1E+0
Tj=100°C
1E+0
Tj=100°C
1E-1
1E-1
1E-2
Tj=25°C
1E-2
Tj=25°C
VR （ V）
1E-3
0
5
10
15
20
25
30
1E-3
0
5
10
15
VR （ V）
20
30
35
40
图。 9-1 ：
正向压降与前进
电流（典型值） （ 1N5817 / 1N5818 ） 。
IFM （ A）
图。 9-2 ：
正向压降与前进
电流（典型值）（ 1N5819 ） 。
IFM （ A）
10.00
10.00
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
1.00
Tj=100°C
Tj=125°C
0.10
Tj=25°C
0.10
Tj=25°C
0.01
0.0
VFM （ V）
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0.7
0.8
0.9
VFM （ V）
0.01
0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1
图。 10 ：
不重复浪涌峰值正向电流
对周期数。
IFSM （ A）
F=50Hz
TJ初始= 25°C
30
25
20
15
10
5
周期数
0
1
10
100
1000
4/5
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
