AN1262应用说明
表7 （续）
符号
Is
RMS
描述
总RMS次级电流
德网络nition
D'
Is
RMS
=
Is
pk
⋅
----
-
3
2
2
Is
AC
RMS次级电流（仅交流分量）
Is
AC
=
Is
RMS
–
Is
DC
一旦该信息已被发现，就可以评价IC的功耗，并检查其
热限制。表8总结了可用于该评价的关系。在这些公式：
- T
c
是在MOSFET的关断电压和电流波形的交叉时间;
- C
漏
是漏极的总电容，则C的组成
OSS
在MOSFET中，寄生电容的
初级绕组，并且在情况下，一些外部电容。
如先前所述，在最坏情况下的操作的集成电路条件通常发生在V
in
= V
DC最小值
然而它是
值得检查的损失亦在最大输入电压，即在V
in
= V
pkmax
尤其是，如果一个外部
电容器被添加上的漏极。
用在集成电路中最坏情况下的总损耗也能够找到的最大结点到环境的热电阻
tance允许在最高环境温度下安全运行。
该装置的工作温度范围延伸至150℃ ，但是在设计这种高温度
TURE不推荐。合理的目标可以设计为125 °C的最高结温：
125
–
T
AMB
R
thmax
= ----------------------------------------------------------------
-
P
Q
+
P
ç OND
+
P
S W¯¯
+
P
CA P
(3)
表8. IC的功率损耗估计
符号
P
COND
P
sw
P
帽
P
Q
假设：
导通损耗
开关损耗
描述
2
德网络nition
P
COND
=
Ip
RMS
⋅
R
DS
(
0：N
）最大
1
-
P
sw
≈
--
⋅ (
V
in
+
V
R
) ⋅
Ip
pk信息
⋅
T
c
⋅
f
sw
3
1
2
-
P
CA P
≈
--
⋅
C
漏
⋅ (
V
in
+
V
R
) ⋅
f
S W¯¯
2
电容损耗
静态损耗
R
DS （ ON） MAX
= 28
Ω
(@ T
j
= 125 °C)
T
c
= 50ns的
f
sw
= 65kHz的
C
漏
= 100pF的
I
op
= 7毫安
P
Q
= V
CC
· I
op
与图1所示的图表来进行。 20也能够估计是否需要耐热性
是可行的或不和，在肯定的情况下，上板的铜区是如何大应该。考虑到
铜方面超过4厘米大的
2
不给显著降低热阻，并可能导致电路板lay-
踏青成为一个严重的问题。
如果热检查没有得到肯定的结果，不同的散热策略可以考虑，否则
更高的最大占空比ð
X
应该使用，如果可能的话，为减少RMS电流。也提出了更高V
INMIN
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STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
