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17H3LL- 参数 Datasheet PDF下载

17H3LL-图片预览
型号: 17H3LL-
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内容描述: N沟道30V - 0.004ohm - 17A - SO-8的STripFET功率MOSFET用于DC-DC转换 [N-channel 30V - 0.004ohm - 17A - SO-8 STripFET Power MOSFET for DC-DC conversion]
分类和应用:
文件页数/大小: 12 页 / 307 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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电气特性
STS17NH3LL
2
电气特性
(T
= 25 ° C除非另有规定编)
表3中。
符号
V
( BR ) DSS
I
DSS
I
GSS
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
开/关状态
参数
漏源
击穿电压
零栅极电压
漏电流(V
GS
= 0)
门体漏
电流(V
DS
= 0)
栅极阈值电压
静态漏源
阻力
测试条件
I
D
= 250 μA ,V
GS
= 0
V
DS
=最大额定值
V
DS
=最大额定值@ 125°C
V
GS
= ± 16V
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250µA
V
GS
= 10V ,我
D
= 8.5A
V
GS
= 4.5V ,我
D
= 8.5A
1
0.004
0.005
0.0057
0.0075
30
1
10
±100
典型值。
最大
单位
V
µA
µA
nA
V
表4 。
符号
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
R
G
动态
参数
输入电容
输出电容
反向传输
电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
测试条件
V
DS
= 25V , F = 1MHz时, V
GS
=
0
V
DD
= 15V ,我
D
=17A
V
GS
=4.5V
F = 1 MHz的门DC偏置= 0
测试信号电平= 20mV的
漏极开路
典型值。
1810
565
41
18
4.8
5.3
0.5
1.5
24
最大
单位
pF
pF
pF
nC
nC
nC
门输入电阻
3
4/12