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    160N75F3 参数 Datasheet PDF下载

    160N75F3图片预览
    型号： 160N75F3
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道75V - 3.5米欧姆 - 120A - TO- 220 - TO- 247 - D2PAK的MDmesh TM低电压功率MOSFET [N-channel 75V - 3.5m ohm - 120A - TO-220 - TO-247 - D2PAK MDmesh TM low voltage Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 13 页 / 362 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号160N75F3的Datasheet PDF文件第1页浏览型号160N75F3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号160N75F3的Datasheet PDF文件第3页浏览型号160N75F3的Datasheet PDF文件第5页浏览型号160N75F3的Datasheet PDF文件第6页浏览型号160N75F3的Datasheet PDF文件第7页浏览型号160N75F3的Datasheet PDF文件第8页浏览型号160N75F3的Datasheet PDF文件第9页  
    电气特性
    STB160N75F3 - STP160N75F3 - STW160N75F3
    2
    电气特性
    (T
    例
    = 25 ° C除非另有规定编）
    表3中。
    符号
    V
    （ BR ） DSS
    I
    DSS
    开/关状态
    参数
    漏源击穿
    电压
    零栅压漏
    电流（V
    GS
    = 0)
    门体漏
    当前
    (V
    DS
    = 0)
    栅极阈值电压
    静态漏源
    阻力
    测试条件
    I
    D
    = 250μA ，V
    GS
    = 0
    V
    DS
    =最大额定值，
    V
    DS
    =最大额定值， @ 125°C
    V
    GS
    = ±20V
    V
    DS
    = V
    GS
    , I
    D
    = 250µA
    V
    GS
    = 10V ，我
    D
    = 60A
    D²PAK
    2
    3.5
    3.2
    分钟。典型值。最大单位
    75
    10
    100
    ±
    200
    V
    µA
    µA
    nA
    V
    mΩ
    mΩ
    I
    GSS
    V
    GS （ TH）
    R
    DS （ ON）
    4
    4.5
    4.2
    表4 。
    符号
    g
    fs(1)
    C
    国际空间站
    C
    OSS
    C
    RSS
    Q
    g
    Q
    gs
    Q
    gd
    动态
    参数
    前锋
    跨
    输入电容
    输出电容
    反向传输
    电容
    总栅极电荷
    栅极 - 源电荷
    栅极 - 漏极电荷
    测试条件
    V
    DS
    = 15V ，我
    D
    = 4.5A
    I
    D
    = 10A
    民
    典型值
    待定
    7000
    1100
    32
    110
    待定
    待定
    待定
    最大单位
    S
    pF
    pF
    pF
    nC
    nC
    nC
    V
    DS
    = 25V ， F = 1兆赫，V
    GS
    =0
    V
    DD
    = 44V ，我
    D
    = 60A
    V
    GS
    =10V
    （参见图2）
    1.脉冲：脉冲宽度= 300μS ，占空比1.5 ％
    4/13

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