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100N3LF3 参数 Datasheet PDF下载

100N3LF3图片预览
型号: 100N3LF3
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内容描述: N沟道30V - 0.0045OHM - 80A - DPAK - IPAK平面的STripFET TM II功率MOSFET [N-channel 30V - 0.0045OHM - 80A - DPAK - IPAK Planar STripFET TM II Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 15 页 / 435 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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STD100N3LF3 - STU100N3LF3
电气特性
表6 。
符号
t
D(上)
t
r
t
D(关闭)
t
f
开关时间
参数
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
测试条件
V
DD
= 15V ,我
D
= 40A,
R
G
=4.7Ω, V
GS
=10V
分钟。
典型值。
9
205
31
35
马克斯。
单位
ns
ns
ns
ns
表7中。
符号
I
SD
I
SDM(1)
V
SD(2)
t
rr
Q
rr
I
RRM
源漏二极管
参数
源极 - 漏极电流
源极 - 漏极电流(脉冲)
正向电压上
反向恢复时间
反向恢复电荷
反向恢复电流
I
SD
= 40A ,V
GS
= 0
I
SD
= 80A,
的di / dt = 100A / μs的,
V
DD
= 25V ,T
J
= 150°C
40
40
2
测试条件
典型值。
最大
80
320
1.3
单位
A
A
V
ns
µC
A
1.脉冲宽度有限的安全工作区
2.脉冲:脉冲宽度= 300μS ,占空比1.5 %
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