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W12NK90Z 参数 Datasheet PDF下载

W12NK90Z图片预览
型号: W12NK90Z
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内容描述: N沟道900V - 0.72欧姆 - 11A TO- 247齐纳保护超网功率MOSFET [N-CHANNEL 900V - 0.72 ohm - 11A TO-247 Zener-Protected SuperMESH Power MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 14 页 / 268 K
品牌: STMICROELECTRONICS [ ST ]
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Electrical characteristics  
STW12NK90Z  
Max. Unit  
Table 7.  
Symbol  
Source drain diode  
Parameter  
Test conditions  
Min.  
Typ.  
Source-drain current  
ISD  
11  
44  
A
A
Source-drain current  
(pulsed)  
(1)  
ISDM  
(2)  
VSD  
trr  
Forward on voltage  
ISD = 11A, VGS = 0  
1.6  
V
Reverse recovery time  
ISD = 10A, di/dt = 100A/µs,  
728  
7.8  
ns  
µC  
A
Qrr  
Reverse recovery charge VDD = 50V, Tj = 25°C  
IRRM  
Reverse recovery current (see Figure 15)  
21.6  
trr  
Reverse recovery time  
ISD = 10A, di/dt = 100A/µs,  
964  
11  
ns  
µC  
A
Qrr  
Reverse recovery charge VDD = 50V, Tj = 150°C  
IRRM  
Reverse recovery current (see Figure 15)  
23  
1. Pulse width limited by safe operating area.  
2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %  
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