TL072 - TL072A - TL072B
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
=
±15V,
T
amb
= 25
o
C (unless otherwise specified)
Symbol
V
io
Parameter
Input Offset Voltage (R
S
= 50Ω)
o
TL072
T
amb
= 25 C
TL072A
TL072B
TL072
T
min.
≤
T
amb
≤
T
max.
TL072A
TL072B
Input Offset Voltage Drift
Input Offset Current *
o
T
amb
= 25 C
T
min.
≤
T
amb
≤
T
max.
Input Bias Current *
o
T
amb
= 25 C
T
min.
≤
T
amb
≤
T
max.
Large Signal Voltage Gain (R
L
= 2kΩ, V
O
=
±10V)
T
amb
= 25
o
C
T
min.
≤
T
amb
≤
T
max.
Supply Voltage Rejection Ratio (R
S
= 50Ω)
o
T
amb
= 25 C
T
min.
≤
T
amb
≤
T
max.
Supply Current, per Amp, no Load
T
amb
= 25
o
C
T
min.
≤
T
amb
≤
T
max.
Input Common Mode Voltage Range
Common Mode Rejection Ratio (R
S
= 50Ω)
o
T
amb
= 25 C
T
min.
≤
T
amb
≤
T
max.
Output Short-circuit Current
o
T
amb
= 25 C
T
min.
≤
T
amb
≤
T
max.
Output Voltage Swing
o
T
amb
= 25 C
T
min.
≤
T
amb
≤
T
max.
SR
t
r
K
OV
GBP
R
i
THD
e
n
∅m
V
O1
/V
O2
R
L
R
L
R
L
R
L
=
=
=
=
2kΩ
10kΩ
2kΩ
10kΩ
±11
50
25
80
80
TL072I,M,AC,AI,
AM,BC,BI,BM
Min.
Typ.
3
3
1
Max.
10
6
3
13
7
5
Min.
TL072C
Typ.
3
Max.
mV
10
13
µV/
C
100
10
200
20
pA
nA
pA
nA
V/mV
200
25
15
70
70
2.5
2.5
±11
200
dB
86
86
mA
1.4
+15
-12
86
1.4
+15
-12
86
mA
10
10
10
12
10
12
8
40
60
60
10
10
10
12
10
12
8
40
60
60
V
12
13.5
12
13.5
2.5
2.5
V
dB
80
80
70
70
o
Unit
DV
io
I
io
10
5
100
4
200
20
10
5
I
ib
20
20
A
vd
SVR
I
CC
V
icm
CMR
Ios
±V
OPP
Slew Rate (V
in
= 10V, R
L
= 2kΩ, C
L
= 100pF,
o
T
amb
= 25 C, unity gain)
Rise Time (V
in
= 20mV, R
L
= 2kΩ, C
L
= 100pF,
T
amb
= 25
o
C, unity gain)
Overshoot (V
in
= 20mV, R
L
= 2kΩ, C
L
= 100pF,
o
T
amb
= 25 C, unity gain)
Gain Bandwidth Product (f = 100kHz,
T
amb
= 25
o
C, V
in
= 10mV, R
L
= 2kΩ, C
L
= 100pF)
Input Resistance
Total Harmonic Distortion (f = 1kHz, A
V
= 20dB,
R
L
= 2kΩ, C
L
= 100pF, T
amb
= 25
o
C, V
O
= 2V
PP
)
Equivalent Input Noise Voltage
(f = 1kHz, R
s
= 100Ω)
Phase Margin
Channel Separation (A
v
= 100)
V/µs
16
0.1
10
2.5
4
10
12
16
0.1
10
MHz
µs
%
2.5
4
10
12
Ω
%
0.01
15
45
120
o
0.01
15
45
120
nV
Hz
√
Degrees
dB
* The input bias currents are junction leakage currents which approximately double for every 10 C increase in the junction temperature.
3/9
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
