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    STP60NF06LFP 参数 Datasheet PDF下载

    STP60NF06LFP图片预览
    型号： STP60NF06LFP
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： N沟道60V - 0.012ヘ - 60A - TO- 220 / D2PAK / TO- 220FP STripFET⑩ II功率MOSFET [N-channel 60V - 0.012ヘ - 60A - TO-220/D2PAK/TO-220FP STripFET⑩ II Power MOSFET]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 16 页 / 517 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
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    STB60NF06L - STP60NF06L - STP60NF06LFP
    Electrical characteristics
    Table 5.
    Symbol
    I
    SD
    I
    SDM
    (1)
    Source drain diode
    Parameter
    Source-drain current
    Source-drain current
    (pulsed)
    Forward on voltage
    I
    SD
    = 60A, V
    GS
    = 0
    110
    250
    4.5
    Test conditions
    Min.
    Typ.
    Max.
    60
    240
    1.3
    Unit
    A
    A
    V
    ns
    nC
    A
    V
    SD (2)
    t
    rr
    Q
    rr
    I
    RRM
    Reverse recovery time
    I
    SD
    = 60A, di/dt = 100A/µs,
    Reverse recovery charge V
    DD
    = 30V, T
    j
    = 150°C
    Reverse recovery current (see
    Figure 17)
    1. Pulse width limited by safe operating area.
    2. Pulsed: Pulse duration = 300 µs, duty cycle 1.5 %
    5/16

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