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    STF28NM50N 参数 Datasheet PDF下载

    STF28NM50N图片预览
    型号： STF28NM50N
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 使用该第二代的MDmesh的开发N沟道功率MOSFET [N-channel Power MOSFETs developed using the second generation of MDmesh]
    分类和应用： 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
    文件页数/大小： 21 页 / 966 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
     浏览型号STF28NM50N的Datasheet PDF文件第5页浏览型号STF28NM50N的Datasheet PDF文件第6页浏览型号STF28NM50N的Datasheet PDF文件第7页浏览型号STF28NM50N的Datasheet PDF文件第8页浏览型号STF28NM50N的Datasheet PDF文件第10页浏览型号STF28NM50N的Datasheet PDF文件第11页浏览型号STF28NM50N的Datasheet PDF文件第12页浏览型号STF28NM50N的Datasheet PDF文件第13页  
    STB28NM50N, STF28NM50N, STP28NM50N, STW28NM50N
    Test circuits
    3
    Test circuits
    Figure 19. Gate charge test circuit
    V
    DD
    12V
    2200
    Figure 18. Switching times test circuit for
    resistive load
    47kΩ
    100nF
    1kΩ
    R
    L
    V
    GS
    V
    D
    R
    G
    P
    W
    D.U.T.
    µF
    3.3
    µF
    V
    DD
    V
    i
    =20V=V
    GMAX
    2200
    µF
    I
    G
    =CONST
    100Ω
    2.7kΩ
    47kΩ
    P
    W
    1kΩ
    AM01469v1
    D.U.T.
    V
    G
    AM01468v1
    Figure 20. Test circuit for inductive load
    Figure 21. Unclamped inductive load test
    switching and diode recovery times
    circuit
    A
    D
    G
    S
    B
    25
    Ω
    D.U.T.
    A
    FAST
    DIODE
    B
    A
    L=100µH
    B
    D
    G
    3.3
    µF
    1000
    µF
    L
    V
    D
    2200
    µF
    3.3
    µF
    V
    DD
    V
    DD
    I
    D
    R
    G
    S
    V
    i
    D.U.T.
    P
    w
    AM01470v1
    AM01471v1
    Figure 22. Unclamped inductive waveform
    V
    (BR)DSS
    V
    D
    Figure 23. Switching time waveform
    t
    on
    td
    on
    t
    r
    t
    off
    td
    off
    t
    f
    90%
    I
    DM
    90%
    10%
    I
    D
    V
    DD
    V
    DD
    0
    10%
    V
    DS
    90%
    V
    GS
    AM01472v1
    0
    10%
    AM01473v1
    Doc ID 17432 Rev 2
    9/21

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