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    NAND256R4A0AZA6F 参数 Datasheet PDF下载

    NAND256R4A0AZA6F图片预览
    型号： NAND256R4A0AZA6F
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    内容描述： 128兆， 256兆， 512兆， 1千兆（ X8 / X16 ）， 528字节/字264页， 1.8V / 3V ， NAND闪存 [128 Mbit, 256 Mbit, 512 Mbit, 1 Gbit (x8/x16) 528 Byte/264 Word Page, 1.8V/3V, NAND Flash Memories]
    分类和应用： 闪存存储内存集成电路
    文件页数/大小： 57 页 / 916 K
    品牌： STMICROELECTRONICS [ ST ]
     浏览型号NAND256R4A0AZA6F的Datasheet PDF文件第41页浏览型号NAND256R4A0AZA6F的Datasheet PDF文件第42页浏览型号NAND256R4A0AZA6F的Datasheet PDF文件第43页浏览型号NAND256R4A0AZA6F的Datasheet PDF文件第44页浏览型号NAND256R4A0AZA6F的Datasheet PDF文件第46页浏览型号NAND256R4A0AZA6F的Datasheet PDF文件第47页浏览型号NAND256R4A0AZA6F的Datasheet PDF文件第48页浏览型号NAND256R4A0AZA6F的Datasheet PDF文件第49页  
    NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A  
    Figure 32. Block Erase AC Waveform  
    CL  
    E
    tWLWL  
    (Write Cycle time)  
    W
    AL  
    R
    tBLBH3  
    tWHBL  
    (Erase Busy time)  
    Add.  
    Add.  
    Add.  
    I/O  
    RB  
    60h  
    D0h  
    70h  
    SR0  
    cycle 1 cycle 2  
    cycle 3  
    Block Erase  
    Setup Command  
    Confirm  
    Code  
    Block Erase  
    Read Status Register  
    Block Address Input  
    ai08038b  
    Note: Address cycle 3 is required for 512Mb and 1Gb devices only.  
    Figure 33. Reset AC Waveform  
    W
    AL  
    CL  
    R
    I/O  
    RB  
    FFh  
    tBLBH4  
    (Reset Busy time)  
    ai08043  
    45/57  

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