LM146 - LM246 - LM346
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
=
±15V,
I
set
= 10µA, T
amb
= +25
o
C (unless otherwise specified)
Symbol
V
io
Parameter
Input Offset Voltage (R
S
≤
10kΩ)
o
T
amb
= 25 C
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
Input Offset Current
T
amb
= 25
o
C
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
Input Bias Current
T
amb
= 25
o
C
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
Large Signal Voltage Gain
(V
o
=
±10V,
R
L
= 10kΩ)
T
amb
= 25
o
C
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
Supply Voltage Rejection Ratio (R
S
≤
10kΩ)
o
T
amb
= 25 C
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
Supply Current, all Amp, no Load
o
T
amb
= 25 C
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
Input Common Mode Voltage Range
T
amb
= 25
o
C
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
Common Mode Rejection Ratio (R
S
≤
10kΩ)
o
T
amb
= 25 C
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
Output Short-circuit Current
o
T
amb
= 25 C
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
Output Voltage Swing (R
L
= 10kΩ)
o
T
amb
= 25 C
T
min
.
≤
T
amb
≤
T
max.
Slew Rate (V
I
=
±10V,
R
L
= 10kΩ, C
L
= 100pF,
unity Gain)
Input Resistance
Input Capacitance
Channel Separation (R
L
= 10kΩ, V
o
= 12V
pp
)
Gain Bandwidth Product
(V
I
= 10 mV, R
L
= 10kΩ, C
L
= 100pF
f = 100kHz)
Total Harmonic Distortion
(f = 1kHz, A
v
= 20dB, R
L
= 10kΩ
C
L
= 100pF, v
o
= 2V
pp
)
Equivalent Input Noise Voltage
(f = 1kHz, R
s
= 100Ω)
±13.5
±13.5
80
70
10
4
12
12
0.3
110
LM146
Min.
Typ.
0.5
Max.
3
5
20
25
100
100
LM246 - LM346
Min.
Typ.
0.5
Max.
5
6
nA
2
2
100
100
nA
30
30
250
250
V/mV
100
50
80
80
1000
50
25
80
80
2
2
±13.5
±13.5
80
70
30
35
10
4
12
12
0.3
110
mA
20
20
30
35
V
14
14
V/µs
0.5
1
2
120
0.5
1
2
120
MΩ
pF
dB
MHz
0.8
1
0.5
1
%
0.015
28
0.015
28
nV
Hz
√
1000
dB
110
110
mA
1
1
2
2
V
Unit
mV
I
io
I
ib
A
vd
SVR
I
CC
V
icm
CMR
dB
I
OS
±
V
opp
SR
R
I
C
I
V
o1
/V
o2
GBP
THD
e
n
3/9
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
