LF147 - LF247 - LF347
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
V
CC
= ±15V, T
amb
= +25°C (unless otherwise specified)
Symbol
V
io
DV
io
I
io
Parameter
Input Offset Voltage (R
s
=
10kΩ)
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
Input Offset Voltage Drift
Input Offset Current - note
1)
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
Input Bias Current - note 1
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
Large Signal Voltage Gain (R
L
= 2kΩ, V
o
= ±10V) ,
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
Supply Voltage Rejection Ratio (R
S
=
10kΩ)
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
Supply Current, Per Amp, no Load
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
Input Common Mode Voltage Range
Common Mode Rejection Ratio (R
S
=
10kΩ)
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
Output Short-Circuit Current
T
amb
= 25°C
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
Output Voltage Swing
T
amb
= 25°C
±V
opp
T
min
≤
T
amb
≤
T
max
R
L
= 2kΩ
R
L
= 10kΩ
R
L
= 2kΩ
R
L
= 10kΩ
±11
50
25
80
80
Min.
Typ.
3
10
5
100
4
200
20
Max.
10
13
µV/°C
pA
nA
pA
nA
V/mV
200
dB
86
mA
1.4
+15
-12
86
mA
10
10
10
12
10
12
12
40
60
60
V
12
13.5
2.7
2.7
V
dB
70
70
Unit
mV
I
ib
20
A
vd
SVR
I
CC
V
icm
CMR
I
OS
SR
t
r
K
ov
GBP
R
i
Slew Rate
V
i
= 10V, R
L
= 2kΩ, C
L
= 100pF, T
amb
= 25°C, unity gain
Rise Time
V
i
= 20mV, R
L
= 2kΩ,C
L
= 100pF, T
amb
= 25°C, unity gain
Overshoot
V
i
= 20mV, R
L
= 2kΩ, C
L
= 100pF, T
amb
= 25°C, unity gain
Gain Bandwidth Product
f =100kHz, T
amb
= 25°C, V
in
= 10mV, R
L
=2kΩ, C
L
= 100pF
Input Resistance
V/µs
16
µs
0.1
%
10
MHz
2.5
4
10
12
Ω
%
THD
Total Harmonic Distortion
f =1kHz, A
v
= 20dB, R
L
= 2kΩ, C
L
= 100pF
T
amb
= 25°C, V
O
= 2Vpp
Equivalent Input Noise Voltage (R
S
=
100Ω, f = 1KHz)
0.01
15
45
120
nV
-----------
-
Hz
Degrees
dB
e
n
∅m
Phase Margin
V
o1
/V
o2
Channel Separation ( A
v
= 100)
1.
The input bias currents are junction leakage currents which approximately double for every 10°C increase in the junction temperature.
3/10
STMICROELECTRONICS [ STMICROELECTRONICS ]
