产品说明
斯坦福Microdevices的SXT -289放大器是一种高效率
砷化镓异质结双极晶体管（ HBT ） MMIC装
在低成本表面安装塑料封装。这些HBT
单片微波集成电路是用分子束外延生长制造
产生可靠的和一致的技术
从硅片性能晶圆批次。
这些放大器是专为用作驱动
在1800-2500兆赫的基础设备设备
蜂窝， ISM ， WLL和宽带CDMA的应用程序。
其高线性度使它成为理想的选择多载波作为
以及数字应用。
典型的IP3 ， P1dB为，增益
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
1960年兆赫
2140兆赫
IP3
P1dB
收益
SXT-289
1800-2500 MHz的功率放大器
产品特点
•
获得专利的高可靠性的GaAs HBT技术
•
高输出3阶截取： +42 dBm的典型值。
•
在2450兆赫
表面贴装功率塑料包装
应用
•
PCS系统
•
WLL ，宽带CDMA系统
•
ISM系统
2450兆赫
符号
参数：测试条件：
Z
0
= 50欧姆，TA = 25℃
在1dB压缩输出功率
F = 1960 MHz的
F = 2140 MHz的
F = 2450 MHz的
F = 1960 MHz的
F = 2140 MHz的
F = 2450 MHz的
F = 1960 MHz的
F = 2140 MHz的
F = 2450 MHz的
F = 1960 MHz的
F = 2140 MHz的
F = 2450 MHz的
F = 1960 MHz的
F = 2140 MHz的
F = 2450 MHz的
V S = 8V
RBIAS = 27欧姆
Vdevice = 5 V （典型值） 。
单位
分贝米
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
-
分贝米
分贝米
分贝米
dB
dB
dB
mA
° C / W
分钟。
典型值。
23.5
23.5
23.0
马克斯。
P
1dB
S
21
小信号增益
13.5
15.0
15.0
13.8
1.4:1
1.6:1
1.6:1
16.6
S
11
输入VSWR
IP
3
输出三阶截点
（噘/音= +11 dBm时，音间距= 1兆赫）
37.5
41.0
40.0
42.0
4.4
4.5
5.4
NF
噪声系数
I
d
R
th
J-升
器件的电流
热阻（结 - 铅）
85
105
108
120
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