初步
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产品说明
斯坦福Microdevices的SXH - 189放大器是一种高效率
砷化镓异质结双极晶体管（ HBT ）单片微波集成电路封装
在低成本表面安装塑料封装。这些HBT
单片微波集成电路是用分子束外延生长制造
产生可靠的和一致的技术
从硅片性能晶圆批次。
这些放大器是专为用作驱动
在5-2000兆赫蜂窝基础设施设备的设备，
ISM ， WLL和窄带PCS应用。
其高线性度使它成为理想的选择多载波作为
以及数字应用。
SXH-189
5-2000兆赫中功率
GaAsHBT放大器
产品特点
•
获得专利的高可靠性的GaAs HBT技术
•
高三阶截取： +39 dBm的典型值。
•
在1960兆赫
表面贴装功率塑料包装
典型的IP3 ， P1dB为，增益
45
40
35
30
25
20
15
10
5
0
IP3
IP3
DBM
P1dB
增益（ dB）的
P1dB
增益（ dB）的
应用
•
PCS ，蜂窝系统
•
高线性度IF放大器
850兆赫
1960年兆赫
符号
P
1dB
S
21
S
11
IP
3
NF
参数：测试条件：
Z
0
= 50欧姆，TA = 25℃
在1dB压缩输出功率
小信号增益
输入VSWR
三阶截点
噪声系数
F = 850 MHz的
F = 1960 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1960 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1960 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1960 MHz的
F = 850 MHz的
F = 1960 MHz的
V S = 8V
RBIAS = 27欧姆
Vdevice
»
5V
单位
分贝米
分贝米
dB
dB
-
分贝米
分贝米
dB
dB
mA
° C / W
分钟。
典型值。
23.0
23.0
马克斯。
17.5
19.5
14.0
1.5:1
1.9:1
39.0
39.0
5.0
5.0
I
d
R
th
J-升
器件的电流
热性能及其（路口 - 铅）
80
100
108
130
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