初步
初步
初步
SSW- 408 DC- 4.0GHz的砷化镓MMIC开关
真值表
V D D
（注
0
0
+V
+V
（注3）
1)
V 1
（注
0
-V
0
+V
2)
V 2
（注
-V
0
+V
0
2)
J1-J2
低
损失
我solat离子
（嗨 - Z）
我solat离子
（嗨 - Z）
低
损失
J1-J3
我solat离子
（嗨 - Z）
低
损失
低
损失
我solat离子
（嗨 - Z）
绝对最大额定值
的R F我的NP UT P 2 O宽E ř
D E VI权证/ C Ø NT R 0升
VO L T A G é
Ø P·E R A T I NG
TE米P·E·R的T ü ř Ë
圣Ø R A克é
TE米P·E·R的T ü ř Ë
吨他ř马升
- [R （E S） I S T A NC é
6 W M A x> 5 0 0 M Hz的
-8V或+ 8V
-45℃至+ 85℃
-65℃至+ 150℃
20度C / W
（注3）
注1： “ Vdd的”引脚应永久连接到最积极的控制电压。如果使用
阳性（ 0V / 5V ）的控制信号， VDD = 5V 。如果使用负（ -5V / 0V ）控制电压， VDD = 0V 。
注2：微分控制电压（v = | V 1 - V 2 | ）可以是从3V至8V的幅度。
注3 ：解耦“的Vdd ”，以良好的RF地面，并在所有RF引脚（ J1 ， J2 ， J3 & ）使用隔直流电容器。
开关原理
注意事项：
适当的预防措施处理，
封装测试设备必须
观察到。
引脚输出
针
1
2
3
4
5
6
7
8
FUNCT离子
摹ND
V1
J1
V2
J3
VDD
摹ND
J2
DESCR IPT离子
摹R 0 UND
D我F F é ř Ë NT I A L
C 0 NT R 0升1
RFIN
D我F F é ř Ë NT I A L
C 0 NT R 0 L 2
的R F Ø UT 2
B I A S C 0 NT R 0升
摹R 0 UND
的R F Ø UT 1
注1 ：图中所示的开关状态，当V1为3V比V2至8V更大。
0.0
插入损耗与频率
V
控制
= -5 V
在端口输入/输出VSWR与频率的关系
V
控制
= -5 V
2.0
1.8
-0.5
1.6
dB
-1.0
dB
1.4
-1.5
1.2
-2.0
DC
1
2
3
4
1.0
DC
1
2
3
4
GHz的
GHz的
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