高级数据表
650 ????? ????????? 0+ ] 5HFHLYH 0L [胡
绝对最大额定值
参数
电源电压
LO输入
RF输入
工作温度
储存温度
价值
+6.0
+10
+15
-40至+85
-65到+150
单位
V
DC
DBM
DBM
ºC
ºC
测试条件
VCC
TA
RF输入
LO输入
+5.0V
+25ºC
-40 dBm的@ 1880 MHz的
为0 dBm @ 1680 MHz的
产品规格 - 交流性能
参数
RF频率范围
IF频率范围
输入IP3
输入P1dB为
转换增益
SSB噪声系数
RF回波损耗
LO回波损耗
IF回波损耗
LO驱动
RF1 = RF2 = -17 dBm的/音
其他测试条件
单位
兆赫
兆赫
DBM
DBM
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
-3
分钟。
1700
10
200
+17
+4
11
14
14
14
14
0
+3
典型值。
马克斯。
2000
300
产品规格 - 隔离性能
参数
泄漏（ LO- RF）
泄漏（ LO - IF ）
其他测试条件
单位
DBM
DBM
分钟。
典型值。
-60
-30
马克斯。
产品规格 - 其他
参数
电源电压
电源电流
热阻
其他测试条件
单位
V
mA
摄氏度/ W
分钟。
+4.75
典型值。
+5.0
150
待定
马克斯。
+5.25
本文提供的信息被认为是可靠截至记者发稿时。斯坦福Microdevices公司承担错误或ommisions不承担任何责任。
斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任，所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格若有变更，恕不
通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices公司不授权或担保任何斯坦福Microdevices公司
产品用于生命支持设备和/或系统。
版权所有2000斯坦福Microdevices公司，公司全球版权所有。
522 Almanor大道，桑尼维尔，CA 94086
电话： （ 800 ） SMI- MMIC
2
http://www.stanfordmicro.com
01年5月1日修订版7.0
STANFORD [ STANFORD MICRODEVICES ]
