SPA-2318 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SPA-2318
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内容描述：	2150兆赫1瓦功率放大器的有源偏置 [2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias]
分类和应用：	放大器射频微波功率放大器
文件页数/大小：	6 页 / 269 K
品牌：	STANFORD [ STANFORD MICRODEVICES ]

初步

SPA- 2318 2150兆赫1瓦功率放大器

针＃

5, 6, 7, 8

功能

VC 1

V为双向

在RF

VPC 2

RF输出/ Vc2的

描述

VC1是电源电压为所述第一级晶体管。该配置

应用原理图所示，需要获得最佳的RF性能。

VBIAS是偏置控制引脚的有源偏置网络。推荐

结构示于应用原理图。

射频输入引脚。该引脚需要使用外部隔直流电容器作为

在应用原理图如图所示。

Vpc2是偏置控制引脚为有源偏置网络为第二阶段。

推荐的配置被显示在应用原理图。

RF输出和偏置引脚。偏差应通过外部提供给该引脚

RF扼流圈。由于直流偏置存在于这个针，隔直电容

应该在大多数应用中使用（见应用原理图）。供应

偏置网络的侧面应良好旁路。输出匹配网络是

必要的，以获得最佳的性能。

需要在封装的底面露出区域被焊接到所述

电路板的接地层，以获得最佳热性能和射频性能。几个

通孔应位于EPAD下所示的推荐地

图案（第6页）。

EPAD

GND

简化的设备示意图

有源偏置

网络接

5-8

有源偏置

网络接

绝对最大额定值

此装置的其中任何一个上述的操作

参数可能会造成永久性的损害。

偏压条件下也应满足下

表情：我

（最大） < （T

- T

)/R

次，J -升

注意： ESD敏感

在搬运，包装适当的预防措施，并

测试设备必须遵守。

参数

供应C光凭目前（V

)

供应C光凭目前（V

)

ð EVI CE电压（V

)

功率D我SSI帕蒂上

操作，实际纳克焊接温度（T

)

RF输入功率

存储温度范围

操作，实际纳克Juncti对温度（T

)

价值

150

750

6.0

4.0

-40至+85

+40

-40到+150

+150

ü尼特

ºC

726帕洛玛大道，桑尼维尔，CA 94085

电话：（ 800 ） SMI- MMIC

http://www.stanfordmicro.com

EDS - 101432修订版B

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