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SGA-1263-TR1 参数 Datasheet PDF下载

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型号: SGA-1263-TR1
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内容描述: DC -4000兆赫硅锗HBT可级联增益模块 [DC-4000 MHz Silicon Germanium HBT Cascadeable Gain Block]
分类和应用: 射频微波
文件页数/大小: 7 页 / 249 K
品牌: STANFORD [ STANFORD MICRODEVICES ]
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初步
初步
SGA - 1263 DC -4000 MHz的2.8V SiGe半导体放大器
规范
参数
Bandw IDþ
频带
器件偏置
工作电压
工作电流
500兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
850兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
1950年兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
2400兆赫
收益
噪声系数
输出IP3
输出P1dB为
输入回波损耗
隔离
DC
2.8
8
16.0
2.7
4.0
-6.9
8.5
61.6
15.7
2.7
2.6
-7.8
8.9
48.4
14.7
3.0
2.8
-7.4
8.8
35.6
14.2
2.8
0.2
-7.0
8.4
33.6
典型值。
马克斯。
4000
单位
T = 25℃
兆赫
T = 25℃
V
mA
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
T = 25℃
dB
dB
分贝米
分贝米
dB
dB
TEST
条件
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斯坦福Microdevices公司对因使用这些信息不承担任何责任,所有此类信息应完全由用户自己承担风险。价格和规格
如有更改,恕不另行通知。没有专利的权利或许可给任何此处所描述的电路被暗示或向任何第三方授予的。斯坦福Microdevices的不
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版权所有1999年斯坦福Microdevices公司,公司全球版权所有。
522 Almanor大道,桑尼维尔,CA 94086
电话: ( 800 ) SMI- MMIC
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EDS- 100935版本A
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