16兆位/ 32兆位/ 64兆位多用途闪存+
SST39VF1601 / SST39VF3201 / SST39VF6401
SST39VF1602 / SST39VF3202 / SST39VF6402
初步规格
为了满足高密度的表面安装的要求，
SST39VF160x /子320x / 640X提供48引脚TSOP
和48球TFBGA封装。请参阅图1和图2为
引脚分配。
第一。编程操作，一旦启动，将是的COM
在10μs内pleted 。参见图4和图5为WE＃和CE ＃
控制的编程操作时序图和图
有效的读操作是数据＃查询和翻转位。在
内部编程操作，主机可以自由地执行额外
tional任务。内部亲中发出的任何命令
克操作将被忽略。在命令
序， WP ＃应静态地保持高或低。
设备操作
命令用于启动存储器操作功能
该装置的系统蒸发散。命令被写入到设备
采用标准的微处理器写序列。一个COM
命令写的是WE＃置为低电平，同时保持CE ＃
低。地址总线被锁定在WE＃的下降沿
或CE ＃ ，先到为准过去。数据总线被锁存
WE＃或CE ＃的上升沿，以先到为准。
该SST39VF160x / 320x的/ 640X也有
自动低
动力
模式，使器件在附近待命
数据后模式已被浏览了有效的阅读
操作。这降低了我
DD
从积极的读取电流
通常为9 mA至一般为3 μA 。自动低功耗模式
降低了典型I
DD
到2的范围内有效的读电流
的读周期毫安/ MHz的。器件退出自动低
电源模式与任何地址变换或控制信号
过渡用于启动另一个读周期，没有
访问时间损失。注意，该器件不会进入
上电后用CE ＃持有自动低功耗模式
稳定低，直到第一个地址变换或CE＃为
驱动为高电平。
扇区/块擦除操作
在扇区（或块）擦除操作使系统
以擦除在一个扇区到扇区的装置（或块逐个
块）的基础。该SST39VF160x / 320x的/ 640X提供了两个见第
器，擦除和块擦除模式。部门架构
是基于对2K字均匀扇区大小。该块 -
擦除模式是基于32K字的均一的块大小。
通过执行六开始扇区擦除操作
与扇区擦除命令字节的命令序列
（30H ），并在最后一个总线周期扇区地址（SA） 。该
通过执行一个6字节的启动块擦除操作
用块擦除命令的命令序列（ 50H ）
和块地址（ BA ）在最后一个总线周期。部门或
块地址被锁存第六的下降沿
WE＃脉冲，而命令（ 30H或50H ）被锁存，
第六WE ＃脉冲的上升沿。内部擦除
第六WE ＃脉冲后开始工作。该终了
擦除操作可以通过数据＃确定
查询或翻转位的方法。请参阅图9和图10为时序
荷兰国际集团的波形和图23的流程图。所有的COM
在扇区擦除或块擦除操作期间发出mands
将被忽略。当WP＃为低电平时，任何企图以部门
（块擦除）擦除受保护的块将被忽略。中
命令序列， WP ＃应静态地保持
高还是低。
读
在SST39VF160x / 320x的/ 640X的读取操作
通过CE＃和OE ＃控制，都具有很低的
系统，以获得从所述输出数据。 CE＃被用于
设备选择。当CE＃为高电平时，芯片是dese-
lected只有待机功耗。 OE ＃是
输出控制，并从所述输出用于门控数据
销。数据总线是在高阻抗状态
CE＃或OE ＃为高电平。请参见读周期时序
图作进一步的详细信息（图3）。
擦除暂停/擦除恢复命令
在擦除暂停操作暂时挂起
部门或块擦除操作从而使数据能够
从任何存储单元读取或程序数据到任何
行业/未暂停擦除操作块。
该操作通过发出一个字节的命令执行
序列擦除暂停命令（ B0H ） 。该
设备会自动通常在20进入阅读模式
微秒后擦除暂停命令已发出。
有效数据可从没有任何部门或块被读
暂停擦除操作。阅读地址
擦除暂停扇区/块将输出中的位置
DQ
2
触发和DQ
6
在“1”。而在擦除暂停
模式，允许除了一个字编程操作
扇区或块中选择擦除暂停。
字编程操作
该SST39VF160x / 320x的/ 640X编程上
字由字的基础。在编程之前，扇区
这里所说的存在必须完全擦除。该计划
操作完成三个步骤。第一步是
软件数据保护的3字节装入序列。
第二步骤是要加载的字地址，字数据。
在字编程操作时，地址是
锁存，无论是CE＃下降沿或WE ＃ ，而─
发生过去年。该数据被锁存的上升沿
CE＃或WE＃ ，以先到为准。第三步是
这是后启动内部编程操作
第四WE ＃或CE ＃上升沿，以先到为准
© 2003硅存储技术公司
S71223-03-000
11/03
2
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
