256千比特/ 512千位/ 1兆位/ 2 Mbit的多用途闪存
SST27SF256 / SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
绝对最大极限
（适用条件高于绝对最大的“上市
压力“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些条件或条件高于在该数据的操作部分中定义的
片是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）
高温下的偏差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
直流电压上的任何引脚对地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
任何引脚瞬态电压（ <20 NS）到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -1.0V到V
DD
+1.0V
上的电压
9
和V
PP
引脚到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到14.0V
包装功率耗散能力（ TA = 25 ° C） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W
通过保持引线焊接温度（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
表面贴装引线焊接温度（ 3秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 240℃
输出短路电流
1
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
1.输出短路因为没有一秒钟以上。不超过一个输出短路的时间。
O
操作摄像机
R
ANGE
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
V
DD
5.0V±10%
V
PP
12V±5%
AC - C
作者ONDITIONS
T
美东时间
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ç
L
= 100 pF的90纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ç
L
= 30 pF的70纳秒
请参阅图11和图12
表6 ：v
EAD
M
ODE
DC Ø
操作摄像机
C
极特FOR
SST27SF256/512/010/020
V
DD
= 5.0V±10%, V
PP
=V
DD
OR
V
SS
（大= 0 ° C至+ 70°C （商业） ）
范围
符号
I
DD
参数
V
DD
读电流
30
I
PPR
V
PP
读电流
100
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
H
待机V
DD
当前
（ TTL输入）
待机V
DD
当前
（ CMOS输入）
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
超高压电流，以
9
2.4
100
2.0
3
100
1
10
0.8
V
DD
+0.5
0.2
µA
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
µA
mA
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
IL
/V
IH
在f = 1 / T的
RC
民
V
DD
=V
DD
最大
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
，所有I / O开放
地址输入= V
IL
/V
IH
在f = 1 / T的
RC
民
V
DD
=V
DD
马克斯，V
PP
=V
DD
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
，所有I / O开放
CE＃ = V
IH
, V
DD
=V
DD
最大
CE＃ = V
DD
-0.3
V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 2.1毫安， V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -400 μA ，V
DD
=V
DD
民
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
, A
9
=V
H
最大
T6.3 502
©2001硅存储技术公司
S71152-02-000 5/01
502
8
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
