512千位/ 1兆位/ 2兆多时间内可编程Flash
SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
表3 ：O型
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
结果公告
SST27SF512
模式
读
输出禁用
节目
待机
芯片擦除
编程/擦除禁止
产品标识
CE＃
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
OE ＃ / V
PP
V
IL
V
IH
V
PPH
X
V
PPH
V
PPH
V
IL
A
9
A
IN
X
1
A
IN
X
V
H
X
V
H
DQ
D
OUT
高Z
D
IN
高Z
高Z
高Z
制造商ID （ BFH ）
设备ID （ A4H ）
地址
A
IN
X
A
IN
X
X
X
A
15
-A
1
=V
IL
, A
0
=V
IL
A
15
-A
1
=V
IL
, A
0
=V
IH
T3.2 1152
1. X可以是V
IL
或V
IH ，
但没有其他价值。
注意：
V
PPH
= 11.4-12V, V
H
= 11.4-12V
表4 ：o
PERATION
M
副执行秘书办公室
S
结果公告
SST27SF010/020
模式
读
输出禁用
节目
待机
芯片擦除
编程/擦除禁止
产品标识
CE＃
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
OE ＃
V
IL
V
IH
V
IH
X
V
IH
X
V
IL
PGM ＃
X
1
X
V
IL
X
V
IL
X
X
A
9
A
IN
X
A
IN
X
V
H
X
V
H
V
PP
V
DD
或V
SS
V
DD
或V
SS
V
PPH
V
DD
或V
SS
V
PPH
V
PPH
V
DD
或V
SS
DQ
D
OUT
高Z
D
IN
高Z
高Z
高Z
制造商ID （ BFH ）
器件ID
2
地址
A
IN
A
IN
A
IN
X
X
X
A
MS3
- A
1
=V
IL
, A
0
=V
IL
A
MS3
- A
1
=V
IL
, A
0
=V
IH
T4.2 1152
1. X可以是V
IL
或V
IH ，
但没有其他价值。
2.设备ID = A5H的SST27SF010和A6H的SST27SF020
3. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
16
对于SST27SF010和A
17
对于SST27SF020
注意：
V
PPH
= 11.4-12V, V
H
= 11.4-12V
©2005硅存储技术公司
S71152-11-000
9/05
6
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
