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    SST27SF010-70-3C-PHE 参数 Datasheet PDF下载

    SST27SF010-70-3C-PHE图片预览
    型号： SST27SF010-70-3C-PHE
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 512千位/ 1兆位/ 2兆位（ X8 ）许多时间内可编程Flash [512 Kbit / 1 Mbit / 2 Mbit (x8) Many-Time Programmable Flash]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 23 页 / 327 K
    品牌： SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
     浏览型号SST27SF010-70-3C-PHE的Datasheet PDF文件第5页浏览型号SST27SF010-70-3C-PHE的Datasheet PDF文件第6页浏览型号SST27SF010-70-3C-PHE的Datasheet PDF文件第7页浏览型号SST27SF010-70-3C-PHE的Datasheet PDF文件第8页浏览型号SST27SF010-70-3C-PHE的Datasheet PDF文件第10页浏览型号SST27SF010-70-3C-PHE的Datasheet PDF文件第11页浏览型号SST27SF010-70-3C-PHE的Datasheet PDF文件第12页浏览型号SST27SF010-70-3C-PHE的Datasheet PDF文件第13页  
    512千位/ 1兆位/ 2兆多时间内可编程Flash
    SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
    数据表
    AC特性
    表11 ：v
    EAD
    C
    YCLE
    T
    即时通信
    P
    ARAMETERS
    V
    DD
    = 4.5-5.5V
    (T
    A
    = 0 ° C至+ 70°C （商业） ）
    符号
    T
    RC
    T
    CE
    T
    AA
    T
    OE
    T
    CLZ1
    T
    OLZ1
    T
    CHZ1
    T
    OHZ1
    T
    OH1
    参数
    读周期时间
    芯片使能存取时间
    地址访问时间
    输出启用访问时间
    CE＃低电平至输出
    OE ＃低到有源输出
    CE＃高到高阻输出
    OE ＃高到高阻输出
    从地址变更输出保持
    0
    0
    0
    25
    25
    民
    70
    70
    70
    35
    最大
    单位
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    ns
    T11.3 1152
    1.该参数仅在初步认证和设计或工艺变更可能影响该参数进行测量。
    表12 ：P
    ROGRAM
    /E
    RASE
    C
    YCLE
    T
    即时通信
    P
    ARAMETERS FOR
    SST27SF512
    符号
    T
    AS
    T
    AH
    T
    PRT
    T
    VPS
    T
    VPH
    T
    PW
    T
    EW
    T
    DS
    T
    DH
    T
    VR
    T
    艺术
    T
    A9S
    T
    A9H
    参数
    地址建立时间
    地址保持时间
    OE ＃ / V
    PP
    脉冲上升时间
    OE ＃ / V
    PP
    建立时间
    OE ＃ / V
    PP
    保持时间
    CE＃编程脉冲宽度
    CE＃擦除脉冲宽度
    数据建立时间
    数据保持时间
    OE ＃ / V
    PP
    AND A
    9
    恢复时间
    A
    9
    上升时间为12V时擦除
    A
    9
    擦除过程中建立时间
    A
    9
    擦除过程中保持时间
    民
    1
    1
    50
    1
    1
    20
    100
    1
    1
    1
    50
    1
    1
    最大
    单位
    µs
    µs
    ns
    µs
    µs
    µs
    ms
    µs
    µs
    µs
    ns
    µs
    µs
    T12.0 1152
    30
    500
    ©2005硅存储技术公司
    S71152-11-000
    9/05
    9

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