512千位/ 1兆位/ 2兆多时间内可编程Flash
SST27SF512 / SST27SF010 / SST27SF020
数据表
绝对最大极限
（适用条件高于绝对最大的“上市
压力“，可能对器件造成永久性损坏。这是一个额定值只和功能的操作
该设备在这些条件或条件高于在该数据的操作部分中定义的
片是不是暗示。暴露在绝对最大额定值条件下可能影响器件的可靠性。 ）
高温下的偏差。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -55 ° C至+ 125°C
储存温度。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65 ° C至+ 150°C
直流电压上的任何引脚对地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到V
DD
+0.5V
任何引脚瞬态电压（ <20 NS）到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -2.0V到V
DD
+2.0V
上的电压
9
和V
PP
引脚到地电位。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V到14.0V
包装功率耗散能力（T
A
= 25 ℃）。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1.0W
通孔焊接温度（ 10秒） 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300℃
表面贴装回流焊温度
1
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 260℃ 10秒
输出短路电流
2
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。百毫安
1.排除某些与铅32 PLCC单位，所有的包都260
°
（3）具有两个非铅和无铅焊料的版本。
一定有铅32 PLCC封装类型都能够240
°
下进行10秒;请咨询厂家的最新信息。
2.输出短路为不超过一秒钟以上。不超过一个输出短路的时间。
O
操作摄像机
R
ANGE
范围
广告
环境温度
0 ° C至+ 70°C
V
DD
4.5-5.5V
V
PP
11.4-12V
AC - C
作者ONDITIONS
T
美东时间
输入上升/下降时间。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10纳秒
输出负载。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ç
L
= 30 pF的70纳秒
请参阅图9和10
表5 ：v
EAD
M
ODE
DC Ø
操作摄像机
C
极特FOR
SST27SF512/010/020
V
DD
= 4.5-5.5V, V
PP
=V
DD
OR
V
SS
(T
A
= 0°C
TO
+70°C (C
OMMERCIAL
))
范围
符号参数
I
DD
V
DD
读电流
30
I
PPR
V
PP
读电流
100
I
SB1
I
SB2
I
LI
I
LO
V
IL
V
IH
V
OL
V
OH
I
H
待机V
DD
当前
（ TTL输入）
待机V
DD
当前
（ CMOS输入）
输入漏电流
输出漏电流
输入低电压
输入高电压
输出低电压
输出高电压
超高压电流，以
9
2.4
200
2.0
3
100
1
10
0.8
V
DD
+0.5
0.2
µA
mA
µA
µA
µA
V
V
V
V
µA
mA
民
最大
单位
测试条件
地址输入= V
ILT
/V
IHT
在f = 1 / T的
RC
民
V
DD
=V
DD
最大
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
，所有I / O开放
地址输入= V
ILT
/V
IHT
在f = 1 / T的
RC
民
V
DD
=V
DD
马克斯，V
PP
=V
DD
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
，所有I / O开放
CE＃ = V
IH
, V
DD
=V
DD
最大
CE＃ = V
DD
-0.3
V
DD
=V
DD
最大
V
IN
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
OUT
= GND到V
DD
, V
DD
=V
DD
最大
V
DD
=V
DD
民
V
DD
=V
DD
最大
I
OL
= 2.1毫安， V
DD
=V
DD
民
I
OH
= -400 μA ，V
DD
=V
DD
民
CE ＃ = OE ＃ = V
IL
, A
9
=V
H
最大
T5.6 1152
©2005硅存储技术公司
S71152-11-000
9/05
7
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
