四路串行I / O （ SQI ）快闪记忆体
SST26VF016 / SST26VF032
数据表
设备操作
该SST26VF016 / 032既支持串行外设接口（ SPI）总线协议和新的4位
多路串行四I / O（ SQI ）总线协议。为了提供向后兼容传统的SPI
串行闪存器件，经过上电复位设备的初始状态是SPI总线协议只支持
阅读，高速读取，以及JEDEC - ID读指令。一个命令指令配置
设备以串行四I / O总线协议。在这种总线协议的数据流进行控制四个多
路开关连接的I / O信号，片选（ CE ＃ ）和串行时钟（ SCK ） 。
SQI闪存协议支持模式0 （ 0,0）和模式3 （ 1,1）总线操作。存在差
两种模式之间的单一模式，如图4和5所示，是SCK信号时的状态
总线主机在待机模式下，没有数据被传输。 SCK信号为低电平的模式0
和SCK信号是高电平为模式3。对于两种模式中，串行数据输入/输出（SIO [3： 0]）的采样是利培
在SCK时钟信号输入的边沿，并在SCK时钟信号的下降沿后驱动
输出。传统的SPI协议使用单独的输入（SI）和输出（SO）数据信号，如图中
图4. SST26VF016 / 032用四个复用的信号， SIO [3：0 ] ，用于在数据和数据输出，
如如图5所示。这四倍于传统的总线的传输速度，在相同的时钟频率，
而不需要在封装更多的引脚。
CE＃
模式3
模式3
模式0
SCK
SI
SO
模式0
位7位6位5位4位3位2位1位0
最高位
不会在意
位7位6位5位4位3位2位1位0
最高位
1359 F03.0
高阻抗
图4：
SPI协议（传统25串行SPI器件）
CE＃
模式3
模式3
CLK
模式0
模式0
SIO （3 ：0）
C1 C0
A5
A4
A3
A2
A1
A0
H0
最高位
L0
H1
L1
H2
L2
H3
L3
X = Do not护理或高Impediance
1409 F04.1
图5：
SQI四路串行I / O协议
© 2010硅存储技术公司
S71359-05-000
06/10
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SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
