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SST26VF016-80-5I-QE 参数 Datasheet PDF下载

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型号：	SST26VF016-80-5I-QE
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内容描述：	四路串行I / O （ SQI ）快闪记忆体 [Serial Quad I/O (SQI) Flash Memory]
分类和应用：
文件页数/大小：	39 页 / 1252 K
品牌：	SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]

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四路串行I / O （ SQI ）快闪记忆体

SST26VF016 / SST26VF032

数据表

产品说明

串行四I / O ™ （ SQI ™ ）系列闪存设备配有4位，复用I / O接口

脸上，允许低功耗，高性能的运行在低引脚数封装。系统

使用SQI闪存器件的设计占用更少的电路板空间，并最终降低系统成本。

26系列的所有成员， SQI家庭与SST专有的高性能制造

CMOS的SuperFlash技术。分裂栅单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现bet-

与其他方法相比器的可靠性和可制造性。

该SST26VF016 / 032显著提高性能和可靠性，同时降低功率变

消费。这些器件写（编程或擦除）与2.7-3.6V单一电源。总

消耗的能量是所施加的电压，电流和应用时间的函数。对于任何

给定的电压范围， SuperFlash技术的编程电流更低，且具有更短的擦除

时间，任何擦除或编程操作过程中所消耗的总能量低于其他闪存

内存技术。

SST26VF016 / 032顷两个8触点WSON （6毫米× 5毫米）的提供，以及8引脚SOIC （ 200万）

包。参见图2引脚分配。

© 2010硅存储技术公司

S71359-05-000

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