1.8V串行四I / O（ SQI ）快闪记忆体
SST26WF032
超前信息
该SST26WF032串行四I / O ™ （ SQI ™ ）闪存器件采用4位mul-
tiplexed I / O串行接口来提升性能，同时保持的COM
标准串行闪存器件契约的形式因素。工作频率
达到80 MHz时， SST26WF032使最小的延迟执行， IN-
地方（ XIP ）功能，而不需要遮蔽上的SRAM的代码。该
设备的高性能和小尺寸使其成为理想的选择
移动手持设备，蓝牙耳机，光盘驱动器， GPS应用
和其他便携式电子产品。更多的利益与实现
SST专有的高性能CMOS SuperFlash®技术，这
显著提高了性能和可靠性，并降低了功率消耗
化的高带宽，紧凑的设计。
产品特点：
•单电压读写操作
– 1.65-1.95V
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 4个8 K字节的顶部和底部的参数覆盖块
- 两个32 K字节的顶部和底部覆盖块
- 统一64 K字节覆盖块
- SST26WF032 - 62块
•串行接口架构
- 半字节多路复用I / O与SPI般串行
命令结构
- 模式0和模式3
- 单位， SPI向后兼容
- 阅读，高速读取，以及JEDEC ID读
•写暂停
- 暂停编程或擦除操作访问另一
块/扇区
•高速时钟频率
= 80 MHz的
- 320 Mbit / s的持续数据传输率
•软件复位（ RST ）模式
•软件写保护
- 个别块锁定
- 64千字节块， 2个32千字节块，而8个8
K字节的参数块
- 写锁，读锁，并且锁定选项
•连拍模式
- 连续线性爆
- 与环绕8/16/32/64字节的线性爆
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次
- 大于100年数据保存时间
•安全ID
- 一次性可编程（ OTP ） 256位，安全ID
- 64位唯一的，工厂预编程的标识符
- 192位用户可编程
•低功耗：
- 读操作工作电流：12 mA（典型值@ 80兆赫）
- 待机电流： 8 μA （典型值）
=温度范围
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
•快速擦除和字节编程：
- 芯片擦除时间： 35毫秒（典型值）
- 以部门/块擦除时间： 18毫秒（典型值）
•封装
- 8触点WSON （ 6× 5毫米）
- 8引脚SOIC （ 200万）
•页面-计划
- 每页256字节
- 在1毫秒的快速页面编程时间（典型值）
•所有器件均符合RoHS标准
•检测写操作结束的
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
© 2010硅存储技术公司
www.sst.com
S71409-01-000
01/10
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
