8Mbit的1.8V SPI串行闪存
SST25WF080
超前信息
说明
指令用于读取，写入（擦除和编程）
并配置SST25WF080 。指令总线
周期是每8位命令（操作码） ，数据和
地址。写使能（ WREN）指令必须是
之前的字节编程执行自动地址递增
（ AAI ）编程，扇区擦除，块擦除，写桩号
土族寄存器或全片擦除指令。完整
指示被提供在表6中，所有指令都是同步
chronized断CE ＃高到低的过渡。投入会
接纳在SCK的上升沿开始的最
显著位。 CE ＃必须的指令前被拉低
被输入，并且必须被驱动为高电平的最后位之后
指令已被移入（除了读，读ID ，
和读状态寄存器指令） 。任何由低到高
在CE ＃变，之前接收指令的最后一位
化的总线周期，将终止正在执行的指令和
该设备返回到待机模式。指令命令
（操作码） ，地址和数据都是从最重要的输入
显著位（ MSB）在前。
表6 ：设备操作说明SST25WF080
指令
读
高速读取
描述
阅读记忆
读存储器以更快的速度
操作码周期
1
0000 0011B （ 03H ）
0000 1011B （ 0BH ）
0010 0000B （ 20H ）
0101 0010B （ 52H ）
1101 1000B （ D8H ）
0110 0000B （ 60H ）或
1100 0111b （ C7H ）
0000 0010B （ 02H ）
1010 1101B （ ADH ）
0000 0101B （ 05H ）
0110 0000B （ 50H ）
0000 0001B （ 01H ）
0000 0110b （ 06H ）
0000 0100B （ 04H ）
1001 0000B （ 90H ）或
1010 1011B （ ABH ）
地址
周期（S ）
2
3
3
3
3
3
0
3
3
0
0
0
0
0
3
0
0
0
0
DUMMY
数据
最大
周期（S ）周期（S ）频率
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
∞
1
∞
0
0
0
0
1
2
∞
1
∞
0
1
0
0
1
∞
0
0
3
∞
0
T6.0 1203
33兆赫
4 K字节扇区擦除
3
擦除4 K字节的存储器阵列的
32 K字节块擦除
4
擦除32 K字节的块
存储器阵列的
64 K字节块擦除
5
擦除64 K字节的块
存储器阵列的
芯片擦除
字节编程
AAI -字编程
6
RDSR
7
EWSR
8
WRSR
雷恩
8
WRDI
RDID
9
EBSY
DBSY
JEDEC -ID
EHLD
1.
2.
3.
4.
5.
6.
删除全部内存阵列
要计划一个数据字节
自动地址递增
程序设计
读状态寄存器
启用 - 写状态寄存器
写状态寄存器
写使能
写禁止
读ID
75兆赫
使SO输出RY / BY ＃台站0111 0000B （ 70H ）
在AAI编程图斯
SO禁用输出RY / BY ＃台站1000 0000B （ 80H ）
在AAI编程图斯
JEDEC ID读
1001 1111B （ 9FH ）
启用1010 1010B HOLD ＃引脚功能（ AAH ）
在RST ＃ / HOLD ＃引脚
一个总线周期为8个时钟周期。
地址位以上各密度的最显著位可为V
IL
或V
IH
.
4 KB扇区擦除地址：使用
MS
-A
12,
剩余的地址是不关心，但必须设置要么在V
IL
或V
IH 。
32 K字节块擦除地址：使用
MS
-A
15,
剩余的地址是不关心，但必须设置要么在V
IL
或V
IH 。
64 K字节块擦除地址：使用
MS
-A
16,
剩余的地址是不关心，但必须设置要么在V
IL
或V
IH 。
继续编程到下一个顺序地址单元中，输入8位的命令， ADH ，随后2个字节的数据是
编程。数据字节0将被编程到初始地址[A
23
-A
1
]随
0
= 0，数据字节1将被编程到
初始地址[A
23
-A
1
]随
0
= 1.
7.读状态寄存器是连续的，持续的时钟周期，直到由低到终止于CE ＃高的转变。
8.无论EWSR或WREN其次WRSR会写状态寄存器。该EWSR - WRSR序列提供向后相容
ibility到SST25VF / LF系列。在WREN - WRSR序列，建议用于新设计。
9.制造商ID被读取具有
0
= 0 ，和设备ID被读取具有
0
= 1 。所有其他地址位是00H 。制造商ID和
器件ID输出流是连续的，直到通过CE＃低到高的转变终止。
© 2010硅存储技术公司
S71203-03-000
04/10
9
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
