512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4Mbit的1.8V SPI串行闪存
SST25WF512 / SST25WF010 / SST25WF020 / SST25WF040
SST25VF016B16Mb串行外设接口（ SPI），闪速存储器
数据表
产品特点：
•单电压读写操作
– 1.65-1.95V
•串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
•高速时钟频率
= 40MHz的
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次
- 大于100年数据保存时间
•超低功耗：
- 读操作工作电流：2 mA（典型值@ 20MHz的）
- 待机电流： 2 μA （典型值）
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一32 K字节覆盖块
- 统一64 K字节覆盖块
（ 2兆和4兆比特专用）
•快速擦除和字节编程：
- 芯片擦除时间： 125毫秒（典型值）
- 以部门/块擦除时间： 62ms （典型值）
- 字节编程时间： 50 μs（典型值）
•自动地址递增（ AAI ）编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
•检测写操作结束的
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
- SO引脚上忙状态读出
•复位引脚（ RST ＃ ）或可编程保持引脚
（ HOLD ＃ ）选项
- 硬件复位引脚为默认值
- 保持引脚选择暂停串行序列
不取消选择器件
•写保护（ WP ＃ ）
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
=温度范围
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
•封装
- 8引脚SOIC （ 150密耳）
- 8触点WSON （ 5× 6毫米）
•所有非铅（无铅）器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST25WF512 ， SST25WF010 ， SST25WF020和
SST25WF040是串行闪存25系列的成员
家庭，并配备了四线SPI兼容接口
使得低引脚数封装，占用更少
电路板空间，并最终降低系统总成本。
SST25WF512 / 010 / 020 / 040的SPI串行闪存记忆
采用SST专有的高性能制造
CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元设计
和厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该SST25WF512 / 010 / 020 / 040设备显著
提高性能和可靠性，同时降低功耗
消费。该器件写（编程或擦除）与
的1.65-1.95V单电源SST25WF512 / 010 /
020/040 。所消耗的总能量是一个函数
施加的电压，电流和应用的时间。由于对
任何给定的电压范围， SuperFlash技术
编程电流更低，且具有更短的擦除时间内，
在任何擦除或编程的总能量消耗的能操作
ATION低于其他闪存技术。
该SST25WF512 / 010 / 020 / 040器件提供
8引脚SOIC和8触点WSON封装。看
图2为引脚分配。
©2009硅存储技术公司
S71328-08-000
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
