8Mbit的1.8V SPI串行闪存
SST25WF080
SST25VF016B16Mb串行外设接口（ SPI），闪速存储器
超前信息
产品特点：
•单电压读写操作
– 1.65-1.95V
•串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
•高速时钟频率
= 75 MHz的
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•超低功耗：
- 读操作工作电流：2 mA（典型值@ 33兆赫）
- 待机电流： 5 μA （典型值）
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一32 K字节覆盖块
- 统一64 K字节覆盖块
•快速擦除和字节编程：
- 芯片擦除时间： 35毫秒（典型值）
- 以部门/块擦除时间： 18毫秒（典型值）
- 字节编程时间： 14 μs（典型值）
•自动地址递增（ AAI ）编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
•检测写操作结束的
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
- SO引脚上忙状态读出
•复位引脚（ RST ＃ ）或可编程保持引脚
（ HOLD ＃ ）选项
- 硬件复位引脚为默认值
- 保持引脚选择暂停串行序列
不取消选择器件
•写保护（ WP ＃ ）
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
=温度范围
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
•封装
- 8引脚SOIC （ 150密耳）
- 8焊球XFBGA
•所有器件均符合RoHS标准
产品说明
该SST25WF080是串行闪存25成员
系列家族，并配有四线SPI兼容
接口，可以低引脚数封装，
占用更少的电路板空间，并最终降低总系
TEM成本。 SST25WF080 SPI串行闪存的制造
factured采用SST专有的高性能CMOS
SuperFlash技术。分裂栅单元设计
厚氧化层隧穿注入器可实现更高的可靠性和
制造与其他方法相比。
该SST25WF080显著改善了性能和
可靠性，同时降低功耗。该装置
写（编程或擦除）与单电源
1.65-1.95V的SST25WF080 。的总能量消耗的
是所施加的电压的函数，电流和时间
应用程序。因为对于任何给定的电压范围内，则超
Flash技术使用更少的电流进行编程，并具有
擦除时间更短，在任的总能量消耗
擦除或编程操作是低于其他闪存
内存技术。
该SST25WF080提供两个8引脚， 150密耳
SOIC封装和8焊球XFBGA包。参见图 -
URES 2和3的引脚分配。
© 2010硅存储技术公司
S71203-03-000
04/10
1
在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
