512千位/ 1兆位/ 2兆位/ 4兆位1.8V SPI串行闪存
SST25WF512 / SST25WF010 / SST25WF020 / SST25WF040
数据表
存储器组织
该SST25WF512 / 010 / 020 / 040超快闪记忆
阵列被组织在统一的4 K字节为16 K字节, 32
K字节和64 K字节( 2兆和4兆比特专用)覆盖eras-
能块。
( CE#)用于选择该设备,并访问数据
通过串行数据输入( SI ) ,串行数据输出( SO )
和串行时钟( SCK ) 。
该SST25WF512 / 010 / 020 / 040支持两种模式0
SPI总线操作( 0,0)和模式3 ( 1,1 ) 。存在差
两种模式之间的单一模式,如图3中所示,是在
在SCK信号的状态,当总线主机处于待机
模式并且没有数据被传输。在SCK信号
低为模式0和SCK信号是高为模式3时对于两个
模式下,串行数据输入( SI )进行采样,在上升沿
在SCK时钟信号和串行数据输出( SO )是
SCK时钟信号的下降沿后驱动。
设备操作
该SST25WF512 / 010 / 020 / 040通过被访问
在SPI (串行外设接口)总线兼容原型
山坳。 SPI总线包括四个控制线;芯片使能
CE#
模式3
模式3
模式0
SCK
SI
SO
模式0
位7位6位5位4位3位2位1位0
最高位
不关心
位7位6位5位4位3位2位1位0
最高位
1328 F03.0
高阻抗
图3: SPI协议
©2009硅存储技术公司
S71328-08-000
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