SST25VF512-20-4C-QA 参数 Datasheet PDF下载

型号：	SST25VF512-20-4C-QA
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内容描述：	512 Kbit的SPI串行闪存 [512 Kbit SPI Serial Flash]
分类和应用：	闪存内存集成电路光电二极管时钟
文件页数/大小：	23 页 / 264 K
品牌：	SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]

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512 Kbit的SPI串行闪存

SST25VF512

数据表

读

读指令输出从开始的数据

指定的地址位置。数据输出流是CON-

通过连续的所有地址，直到由低到终止

高转换在CE ＃。内部地址指针

自动递增，直到最高的内存地址

被达到。一旦最高的存储器地址为止，

地址指针将自动递增到

开始（环绕）的地址空间，即对于

4兆位密度，一次是从地址位置的数据

7FFFFH被读出时，下一个输出将是从

地址位置00000H 。

读指令是通过执行一个8位发起的COM

命令， 03H ，其次是地址位[A

-A

] 。 CE ＃必须

保持低电平的读出周期的持续时间。看

图4为读序列。

CE＃

模式3

0 1 2 3 4 5 6 7 8

15 16

23 24

31 32

39 40

55 56

63 64

SCK

模式0

最高位

添加。

最高位

高阻抗

添加。

OUT

最高位

1192 F10.11

N+1

OUT

N+2

OUT

N+3

OUT

N+4

OUT

图4中，R

EAD

EQUENCE

字节编程

该字节编程指令程序的位

选择字节到期望的数据。所选字节必须

处于已擦除状态（ FFH），启动一个程序时

操作。一个字节编程指令适用于亲

tected存储器区域将被忽略。

在此之前的任何写操作，写使能（ WREN ）

指令必须被执行。 CE ＃必须保持低电平

为字节编程指令的时间。在字节级

程序指令被执行8位发起的COM

命令， 02H ，其次是地址位[A

-A

] 。继

地址，数据输入，以便从最高有效位（位7）到LSB

（位0）。 CE＃必须驱动为高电平之前的指令是

执行。用户可以查询该软件中的忙位

状态寄存器或等待牛逼

为完成内部的

自定时字节编程操作。参见图5为

字节编程序列。

CE＃

模式3

0 1 2 3 4 5 6 7 8

15 16

23 24

31 32

SCK

模式0

最高位

添加。

最高位

添加。

最高位

最低位

高阻抗

1192 F08.11

图5 ： B

YTE

-P

ROGRAM

EQUENCE

S71192-06-000

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