64兆位的SPI串行双I / O闪存
SST25VF064C
SST25VF032B32Mb串行外设接口（ SPI），闪速存储器
数据表
产品特点：
•单电压读写操作
– 2.7-3.6V
•串行接口架构
- SPI兼容：模式0和模式3
•双输入/输出支持
- 快速读取双输出指令
- 快速读取双I / O指令
•高速时钟频率
- 80兆赫的高速读取（ 0BH ）
- 75兆赫的快速读取双输出（ 3BH ）
- 50兆赫的快速读取双I / O（ BBH ）
- 33兆赫的读取指令（ 03H ）
•卓越的可靠性
- 耐力： 100,000次（典型值）
- 大于100年数据保存时间
•低功耗
- 读操作工作电流：12 mA（典型值@ 80兆赫）的
单位读）
- 读操作工作电流：14 mA（典型值@ 75MHz的）的
双位读）
- 待机电流： 5 μA （典型值）
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一32 K字节覆盖块
- 统一64 K字节覆盖块
•快速擦除
- 芯片擦除时间： 35毫秒（典型值）
- 以部门/块擦除时间： 18毫秒（典型值）
•页面-计划
- 每页256字节
- 单路和双路输入支持
- 在1.5毫秒快速页编程时间（典型值）
•检测写操作结束的
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
•写保护（ WP ＃ ）
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•软件写保护
- 通过块保护位在台站写保护
土族注册
•安全ID
- 一次性可编程（ OTP ） 256位，安全ID
- 64位唯一的，工厂预编程的标识符
- 192位用户可编程
=温度范围
- 商业= 0 ° C至+ 70°C
- 工业级： -40 ° C至+ 85°C
•封装
- 16引脚SOIC （ 300密耳）
- 8触点WSON （ 6× 8毫米）
- 8引脚SOIC （ 200密耳）
•所有器件均符合RoHS标准
产品说明
在SST 25系列串行闪存系列采用四线制，
SPI兼容接口，允许低引脚数
封装，占用的电路板空间，并最终
降低了系统总成本。 SST25VF064C SPI串行闪存
存储器采用SST专有的高性生产
曼斯CMOS SuperFlash技术。分裂栅单元
设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更可靠
交替比较能力和制造
的方法。
该SST25VF064C显著提高性能
和可靠性，同时降低功耗。该
设备的写操作（编程或擦除）与单电支持
层2.7-3.6V的。所消耗的总能量是的函数
所施加的电压，施加电流和时间。自
对于任何给定的电压范围， SuperFlash技术
使用编程电流更低，并具有擦除时间更短，
在任何擦除或编程所消耗的总能量
操作低于其他闪存技
吉斯。
该SST25VF064C器件采用16引脚SOIC （ 300
密耳） ， 8触点WSON （ 6× 8毫米） ，和8引脚SOIC
（200密耳）的软件包。参见图2引脚分配。
© 2010硅存储技术公司
S71392-04-000
04/10
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology ， Inc.的商标。
规格若有变更，恕不另行通知。
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
