512 Kbit的SPI串行闪存
SST25VF512
数据表
自动地址递增（ AAI ）
自动地址递增编程，状态位亲
志愿组织上的装置是否处于AAI编程状态
模式或字节编程模式。上电时的默认值是
字节编程模式。
（ WREN）指令必须首先执行。完整
在表6中的所有指令提供的指令列表
关闭高到CE＃低的转换是同步的。输入
在SCK的上升沿开始的会被接受
最显著位。 CE ＃必须在一个被驱动为低电平
指令被输入，并且必须被驱动为高电平之后，最后
指令的位被移位（除了读取，
读ID和读状态寄存器指令） 。任何低
对CE ＃高的转变，之前收到的最后一个位
指令总线周期，将终止该指令在
进度和设备返回到待机模式。
指令命令（操作码） ，地址和数据
从最显著位（ MSB）开始的所有输入。
说明
指令用于读取，写入（擦除和编程）
并配置SST25VF512 。指令总线周期
各8位命令（操作码） ，数据和
地址。在此之前执行任何字节编程，自动
地址递增（ AAI ）编程，扇区擦除，
块擦除或芯片擦除指令，写使能
表6 ：D
EVICE
O
PERATION
I
NSTRUCTIONS1
总线周期
2
周期类型/操作
3,4
读
扇区擦除
5,6
块擦除
5,7
芯片擦除
6
字节编程
6
自动地址递增（ AAI ）程序
6,8
读状态寄存器（ RDSR ）
启用 - 写状态寄存器（ EWSR ）
10
写状态寄存器（ WRSR ）
10
写使能（WREN ）
写禁止（WRDI ）
读ID
S
IN
03H
20H
52H
60H
02H
AFH
05H
50H
01H
06H
04H
90H或
ABH
1
S
OUT
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
高阻
S
IN
2
S
OUT
高阻
高阻
高阻
-
高阻
高阻
D
OUT
-
高阻
-
-
高阻
S
IN
A
23
-A
16
A
23
-A
16
A
23
-A
16
-
A
23
-A
16
A
23
-A
16
X
-
数据
-
-
00H
3
S
OUT
高阻
高阻
高阻
-
高阻
高阻
记
9
-
-
-
-
高阻
S
IN
A
7
-A
0
A
7
-A
0
A
7
-A
0
-
A
7
-A
0
A
7
-A
0
-
-
-.
-
-
A
15
-A
8
A
15
-A
8
A
15
-A
8
-
A
15
-A
8
A
15
-A
8
-
-
-
-
-
00H
4
S
OUT
高阻
高阻
高阻
-
高阻
高阻
记
9
-
-
-
-
高阻
S
IN
X
-
-
-
D
IN
D
IN
-
-
-
-
-
X
5
S
OUT
D
OUT
-
-
-
高阻
高阻
记
9
-
-
-
-
D
OUT12
T6.18 1192
ID地址
11
1. A
MS
=最显著地址
A
MS
= A
15
为SST25VF512
地址位以上各密度的最显著位可为V
IL
或V
IH
2.一个总线周期为8个时钟周期。
3.操作：•
IN
=串行输入，S
OUT
=串行输出
4. X =虚拟输入周期（V
IL
或V
IH
） ; - =不适用的周期数（周期数是不必要的）
5.扇区地址：使用
MS
-A
12
，剩余的地址可以是V
IL
或V
IH
6.在此之前的任何字节编程， AAI编程，扇区擦除，块擦除或芯片擦除操作，写使能（ WREN）指令
必须执行。
7块地址为：使用
MS
-A
15
，剩余的地址可以是V
IL
或V
IH
8.要继续编程到下一个连续地址的位置，输入8位命令， AFH ，
随后对数据进行编程。
9.读状态寄存器是连续的，持续的时钟周期，直到由低到终止于CE ＃高的转变。
10.启用，写状态寄存器（ EWSR ）指令和写状态寄存器（ WRSR ）指令必须在工作中结合
彼此。 WRSR指令必须在EWSR指令，使两者之后（很下一个总线周期）执行
指令有效。
11.制造商的ID被读取具有
0
= 0 ，和设备ID被读取具有
0
= 1 。所有其他地址位是00H 。制造商的设备和
ID输出流是连续的，直到由低到终止于CE ＃高的转变
12.设备ID = 48H为SST25VF512
©2005硅存储技术公司
S71192-09-000
1/06
7
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
