8兆位的SPI串行闪存
SST25VF080B
数据表
说明
指令用于读取，写入（擦除和编程）
并配置SST25VF080B 。指令总线
周期是每8位命令（操作码） ，数据和
地址。在此之前执行任何字节编程，自动
地址递增（ AAI ）编程，扇区擦除，
块擦除，写状态寄存器或全片擦除指令
系统蒸发散，写使能（ WREN）指令必须是exe-
第一cuted 。在提供指令的完整列表
表5.所有的指令都同步掀起了前高后低
的CE＃转换。输入将在上升沿接受
表5 ：D
EVICE
O
PERATION
I
NSTRUCTIONS
指令
读
高速读取
描述
读内存频率为25 MHz
读存储器，采用50 MHz
操作码
周期
1
地址
周期（S ）
2
3
3
3
3
3
0
3
3
0
0
0
0
0
3
0
0
0
DUMMY
数据
最大
周期（S ）周期（S ）频率
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
1
∞
1
∞
0
0
0
0
1
2
∞
1
∞
0
1
0
0
1
∞
3
∞
0
0
25 MHZ
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
50兆赫
T5.0
1296
的SCK先从最显著位。 CE＃必须
驱动为低电平的指令被输入之前，必须
驱动为高电平之后的指令的最后一位已经
中移动（除了读，读ID和读状态 -
注册指令） 。任何低到CE ＃高的转变，
前接收指令总线周期的最后位，将
终止正在执行的指令，并返回该设备
待机模式。指令命令（操作码） ，
地址和数据是从最显著所有输入
位（ MSB）在前。
0000 0011B （ 03H ）
0000 1011B （ 0BH ）
0010 0000B （ 20H ）
0101 0010B （ 52H ）
1101 1000B （ D8H ）
0110 0000B （ 60H ）或
1100 0111b （ C7H ）
0000 0010B （ 02H ）
1010 1101B （ ADH ）
0000 0101B （ 05H ）
0000 0001B （ 01H ）
0000 0110b （ 06H ）
0000 0100B （ 04H ）
1001 0000B （ 90H ）或
1010 1011B （ ABH ）
1001 1111B （ 9FH ）
4 K字节扇区擦除
3
擦除4 K字节的
存储阵列
32 K字节块擦除
4
擦除32 K字节的块
存储器阵列的
64 K字节块擦除
5
擦除64 K字节的块
存储器阵列的
芯片擦除
字节编程
AAI -字编程
6
RDSR
7
EWSR
WRSR
雷恩
WRDI
RDID
8
JEDEC -ID
EBSY
DBSY
删除全部内存阵列
要计划一个数据字节
自动地址递增
程序设计
读状态寄存器
写状态寄存器
写使能
写禁止
读ID
JEDEC ID读
启用 - 写状态寄存器0101B 0000B （ 50H ）
使SO输出RY / BY ＃
0111 0000B （ 70H ）
在AAI编程状态
SO禁用输出RY / BY ＃1000 0000B （ 80H ）
在AAI编程状态
一个总线周期为8个时钟周期。
地址位以上各密度的最显著位可为V
IL
或V
IH
.
4K字节扇区擦除地址：使用
MS
-A
12,
剩余的地址是不关心，但必须设置要么在V
IL
或V
IH 。
32K字节块擦除地址：使用
MS
-A
15,
剩余的地址是不关心，但必须设置要么在V
IL
或V
IH 。
64K字节的块擦除地址：使用
MS
-A
16,
剩余的地址是不关心，但必须设置要么在V
IL
或V
IH 。
继续编程到下一个顺序地址单元中，输入8位的命令， ADH ，随后2个字节的数据是
编程。数据字节0将被编程到初始地址[A
23
-A
1
]随
0
= 0，数据字节1将被编程到
初始地址[A
23
-A
1
]随
0
=1.
7.读状态寄存器是连续的，持续的时钟周期，直到由低到终止于CE ＃高的转变。
8.制造商ID被读取具有
0
= 0 ，和设备ID被读取具有
0
= 1 。所有其他地址位是00H 。制造商ID和
器件ID输出流是连续的，直到通过CE＃低到高的转变终止。
1.
2.
3.
4.
5.
6.
©2006硅存储技术公司
S71296-01-000
1/06
8
SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
