32兆位的SPI串行闪存
SST25VF032B
SST25VF032B32Mb串行外设接口( SPI),闪速存储器
超前信息
产品特点:
•单电压读写操作
– 2.7-3.6V
•串行接口架构
- SPI兼容:模式0和模式3
•高速时钟频率
- 50 MHz的最大
•卓越的可靠性
- 耐力: 100,000次(典型值)
- 大于100年数据保存时间
•低功耗:
- 读操作工作电流10 mA(典型值)
- 待机电流: 5 μA (典型值)
•灵活的擦除能力
- 统一4K字节扇区
- 统一32 K字节覆盖块
- 统一64 K字节覆盖块
•快速擦除和字节编程:
- 芯片擦除时间: 35毫秒(典型值)
- 以部门/块擦除时间: 18毫秒(典型值)
- 字节编程时间: 7 μs(典型值)
•自动地址递增( AAI )字编程
- 降低整个芯片的编程时间
字节编程操作
•检测写操作结束的
- 软件轮询状态寄存器中的BUSY位
- SO引脚上忙状态读出
•保持引脚( HOLD # )
- 暂停串行序列的记忆
不取消选择器件
•写保护( WP # )
- 启用/禁用的的锁定功能
状态寄存器
•软件写保护
- 通过块保护位的写保护
状态寄存器
=温度范围
- 商业: 0 ° C至+ 70°C
- 工业级: -40 ° C至+ 85°C
•封装
- 8引脚SOIC ( 200密耳)
- 16引脚SOIC ( 300密耳)
•所有非铅(无铅)器件均符合RoHS标准
产品说明
在SST 25系列串行闪存系列采用四线制,
SPI兼容接口,允许低引脚数
封装,占用的电路板空间,并最终
降低了系统总成本。 SST25VF032B SPI串行闪存
回忆与SST专有的,高生产
高性能CMOS SuperFlash技术。分裂栅
单元设计和厚氧化层隧穿注入器可实现更好的
可靠性和可制造性与替代比较
的方法。
该SST25VF032B设备显著改善perfor-
曼斯和可靠性,同时降低功耗。
该器件的写入(编程或擦除)与单电
电源2.7-3.6V的SST25VF032B的。的总能量
消耗是所施加电压的函数,电流和
应用程序的时间。因为对于任何给定的电压范围内,则
SuperFlash技术的编程电流小,
具有更短的擦除时间,总的能量过程中消耗
任何擦除或编程操作小于替代
闪存技术。
该SST25VF032B器件采用8引脚SOIC
( 200密耳)和16引脚SOIC ( 300密耳)封装。参见图 -
URES 2和3引脚分配。
©2006硅存储技术公司
S71327-00-000
10/06
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在SST徽标和超快闪注册了Silicon Storage Technology , Inc.的商标。
规格若有变更,恕不另行通知。