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SSM4226M 参数 Datasheet PDF下载

SSM4226M图片预览
型号: SSM4226M
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内容描述: 双N沟道增强型功率MOSFET [DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE POWER MOSFET]
分类和应用:
文件页数/大小: 4 页 / 137 K
品牌: SST [ SILICON STORAGE TECHNOLOGY, INC ]
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SSM4226M/GM
35
35
T
A
=25 C
28
o
10V
5.0V
4.0V
I
D
,漏电流( A)
28
T
A
=150
o
C
10V
5.0V
4.0V
I
D
,漏电流( A)
21
21
14
14
7
7
V
G
=3.0V
V
G
=3.0V
0
0
1
1
2
2
3
0
0
1
1
2
2
3
V
DS
,漏极至源极电压( V)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图1.典型的输出特性
图2.典型的输出特性
80
1.8
I
D
=6.0A
T
A
=25°C
60
1.6
I
D
=6A
V
GS
=10V
归一化ř
DS ( ON)
2
4
6
8
10
12
1.4
R
DS ( ON)
(mΩ )
40
1.2
1
20
0.8
0
0.6
-50
0
50
100
150
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
T
j
,结温( C)
o
图3.导通电阻与栅极电压
图4.归一导通电阻
- 结温
2.50
10
2.25
I
S
(A)
1
T
j
=150
o
C
T
j
=25
o
C
0.1
0
0.4
0.8
1.2
1.6
V
GS ( TH)
(V)
2.00
1.75
1.50
1.25
1.00
-50
0
50
100
150
V
SD
,源极到漏极电压(V )
T
j
,结温(
o
C)
图5.正向特性
图6.栅极阈值电压
反向二极管
2004年8月6日Rev.1.02
- 结温
www.SiliconStandard.com
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