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2SPT6341SD 参数 Datasheet PDF下载

2SPT6341SD图片预览
型号: 2SPT6341SD
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内容描述: MultiEpitaxial平面NPN功率晶体管模 [MultiEpitaxial Planar NPN Power Transistor Die]
分类和应用: 晶体晶体管功率双极晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 79 K
品牌: SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]
 浏览型号2SPT6341SD的Datasheet PDF文件第2页  
2SPT6341SD
固态器件, INC 。
14830谷景观大道*拉米拉达,钙90638
电话: ( 562 ) 404-7855 *传真: ( 562 ) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
设计师的数据表
.170
.011
MultiEpitaxial平面
NPN功率晶体管模
产品特点:
建议更换为2N6338 - 6341系列
模具尺寸: 170 ×180密尔
模具厚度: 260 - 330微米
结合地区:
发射器: 30× 60密尔
基地: 40 ×50密尔
最大推荐焊线:
发射器:铝( 15密耳直径)
基地:铝( 15密耳直径)
金属化:
TOP :
60,000Å铝
下图: 5,500Å金/铬/镍/金
E
.180
B
最大额定值
4/
符号
价值
单位
集电极 - 发射极电压
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
连续集电极电流
峰值集电极电流
连续基极电流
功耗
@ TC = 25°C
减免上述25℃
工作&储存温度
最大热阻
电气特性
4/
集电极 - 发射极
击穿电压
集电极 - 截止电流
集电极 - 截止电流
发射器 - 截止电流
直流电流增益*
I
C
= 50毫安
V
CE
= 125 V; V
BE
= 1.5 V
V
CE
= 125 V; V
BE
= 1.5 V ; T = 150℃
V
CB
= 180 V
V
EB
= 6 V
V
CE
= 2V ,我
C
= 500毫安
V
CE
= 2V ,我
C
= 10A
V
CE
= 2V ,我
C
= 25A
I
C
= 10A ,我
B
= 1 A
I
C
= 25A ,我
B
= 2.5A
I
C
= 10A ,我
B
= 1A
I
C
= 25A ,我
B
= 2.5A
V
首席执行官
V
CBO
V
EBO
I
C(最大值)
I
B
P
D
热门& TSTG
结到外壳
R
θJC
符号
BV
首席执行官
3/
I
CEX
3/
125
––
––
––
50
30
12
––
––
––
––
125
180
6
25
50
10
200
1.143
-65到+200
0.875
典型值
135
0.020
0.020
0.001
120
185
120
0.35
0.93
1.13
1.73
最大
––
10
1
10
100
––
220
––
1.0
1.8
1.8
2.5
安培
安培
W
W / ℃,
ºC
摄氏度/ W
单位
µA
mA
uA
uA
––
I
C
I
CBO1 3 /
I
EBO
3/
h
FE1
3/
h
FE2
3/
h
FE3
V
CE ( SAT )
V
B E(坐)
集电极 - 发射极饱和
电压*
基地 - 发射极饱和
电压*
注意:
所有规格如有变更,恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查,以释放之前。
数据表# : TR0101A
DOC