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2N5015_1 参数 Datasheet PDF下载

2N5015_1图片预览
型号: 2N5015_1
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内容描述: 0.5 AMP , 1000伏NPN晶体管 [0.5 AMP, 1000 Volts NPN Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 2 页 / 124 K
品牌: SSDI [ SOLID STATES DEVICES, INC ]
 浏览型号2N5015_1的Datasheet PDF文件第2页  
固态器件, INC 。
14701凡世通大道*拉米拉达,钙90638
电话: ( 562 ) 404-4474 *传真: ( 562 ) 404-1773
ssdi@ssdi-power.com * www.ssdi-power.com
2N5015
0.5 AMP , 1000伏
NPN晶体管
产品特点:
BVCER 1000伏
低饱和电压
低漏高温
高增益,低饱和
200 °C操作,金共晶芯片粘接
TX, TXV ,和S级屏蔽可用
符号
价值
单位
设计师的数据表
零件编号/订购信息
1/
2N50
15
筛选
2/
__
=不屏蔽
TX = TX水平
TXV = TXV水平
S =个级别。
/ 39 = TO- 39
/ 5 = TO-5
1000V
家庭/电压
__
__
最大额定值
集电极 - 发射极电压
(R
BE
= 1 kΩ)
集电极 - 基极电压
发射极 - 基极电压
集电极 - 发射极击穿电压
峰值集电极电流
峰值电流基地
器件总功耗
@ T
C
= 100º C
减免上述100° Ç
工作和存储温度
热阻,结到外壳
注意事项:
1 /有关订购信息,价格,运营曲线,和可用性 - 请联系工厂。
2 /筛选基于MIL- PRF- 19500 。筛选根据要求提供流动。
3 /除非另有规定,在25℃下的最大额定值/电气特性。
4 /脉冲测试:脉冲宽度= 300微秒,占空比= 2 %
V
CER
V
CBO
V
EBO
BV
首席执行官
I
C
I
B
P
D
T
OP
, T
英镑
R
θJC
TO-39
1000
1000
5
450
0.5
250
2.0
20
-65到+200
50 (典型值22 )
V
V
V
V
A
mA
W
毫瓦/℃
ºC
摄氏度/ W
TO-5
注意:
所有规格如有变更,恕不另行通知。
SCD的这些设备应该由SSDI进行审查,以释放之前。
数据表# : TR0043E
DOC